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UF1502S-T  AM26C32ID  AM26C32CNE4  AM26C32IDBLE  UF1501S-B  UF1501S-T  UF1502-B  UF1501-B  AM26C32CDR  AM26C32CNSR  
GS74117AX-10I 256K ×16的4Mb SRAM的异步 (256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM)
.型号:   GS74117AX-10I
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描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步
256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 12 页
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品牌   GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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100%
GS74117AX
AC特性
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间( CE )
字节使能存取时间( UB , LB )
输出使能到输出有效( OE )
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出( CE )
输出使能在低Z输出( OE )
字节使能在低Z输出( UB , LB )
芯片禁用高Z输出( CE )
输出禁止在高Z输出( OE )
字节禁用输出高Z( UB , LB )
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
AB
t
OE
t
OH
t
LZ
*
t
OLZ
*
t
BLZ
*
t
HZ
*
t
OHZ
*
t
BHZ
*
-7
7
3
3
0
0
最大
7
7
3
3
3.5
3
3
8
3
3
0
0
-8
最大
8
8
3.5
3.5
4
3.5
3.5
10
3
3
0
0
-10
最大
10
10
4
4
5
4
4
12
3
3
0
0
-12
最大
12
12
5
5
6
5
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样,而不是100 %测试。
读周期1 : CE = OE = V
IL
我们= V
IH
,和UB或LB = V
IL
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据
数据有效
冯: 1.02 10/2002
6/12
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