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HMC643LC5_08  HMC632LP5  HMC643  HMC636ST89_11  MLL3595A  HMC634LC4  HMC643LC5  HMC636ST89E  HMC633LC4  HMC635LC4_10  
GS74117AX-10I 256K ×16的4Mb SRAM的异步 (256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM)
.型号:   GS74117AX-10I
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描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步
256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 12 页
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品牌   GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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100%
GS74117AX
读周期2 : WE = V
IH
TRC
地址
TAA
CE
TAC
TLZ
UB , LB
OE
tBLZ
TOE
数据输出
TOLZ
高阻抗
TAB
tBHZ
tOHZ
数据有效
太赫兹
写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
字节使能,以结束写的
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间( WE)
写恢复时间( CE )
输出低Z从写结束
写在高Z输出
符号
TWC
TAW
TCW
TBW
TDW
TDH
TWP
TAS
tWR的
tWR1
TWLZ
*
tWHZ
*
-7
7
5
5
5
3.5
0
5
0
0
0
3
最大
3
8
5.5
5.5
5.5
4
0
5.5
0
0
0
3
-8
最大
3.5
10
7
7
7
4.5
0
7
0
0
0
3
-10
最大
4
12
8
8
8
6
0
8
0
0
0
3
-12
最大
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样,而不是100 %测试。
冯: 1.02 10/2002
7/12
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