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GS74117AX
FP- BGA
商用温度
工业级温度
特点
•快速存取时间: 7 , 8 , 10 , 12纳秒
• CMOS低功耗运行: 150/130/105/95毫安
最小周期时间
•采用3.3 V单电源
•所有输入和输出为TTL兼容
•字节控制
•全静态工作
•工业温度选项: -40°至85°C
??包装:
X :6毫米×10毫米细间距球栅阵列
256K ×16
4MB SRAM的异步
1
2
3
7,8, 10,12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
4
5
6
细间距BGA 256K ×16配置跳车
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ
1
DQ
3
V
SS
V
DD
DQ
6
DQ
8
NC
OE
UB
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
NC
A
12
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
8
A
10
A
13
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
9
A
11
A
14
A
2
CE
NC
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
DD
V
SS
描述
该GS74117A是有组织的高速CMOS静态RAM
如262,144字由16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS74117A可在一个6×10毫米微调
间距BGA封装。
DQ
10
DQ
11
WE
A
15
DQ
9
NC
引脚说明
符号
A
0
–A
17
DQ
1
-DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
包X
6 ×10mm的凹凸间距
顶视图
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
低字节使能输入
( DQ1到DQ8 )
高字节使能输入
( DQ9到DQ16 )
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
无连接
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GS74117AX
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
17
CE
WE
控制
OE
UB
_____
LB
_____
COLUMN
解码器
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
16
真值表
CE
H
OE
X
WE
X
LB
X
L
UB
X
L
H
L
L
H
L
X
H
DQ
1
到DQ
8
未选择
高Z
不写,高Z
高Z
高Z
DQ
9
到DQ
16
未选择
高Z
不写,高Z
高Z
高Z
V
DD
当前
ISB
1
, ISB
2
L
L
H
L
H
L
L
X
L
L
H
I
DD
L
L
H
X
H
X
X
H
注:X:为“H”或“L”的
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GS74117AX
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
( ≤ 4.6 V最大。 )
-0.5到V
DD
+0.5
( ≤ 4.6 V最大。 )
0.7
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意:
如果绝对最大额定值被超过,可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于市盈率
ommended工作条件。暴露于高于推荐电压的时间会影响器件长时间
可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为-7 / -8 / -10 / -12
输入高电压
输入低电压
环境温度下,
商用系列
环境温度下,
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意事项:
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
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GS74117AX
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试在T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 %测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安
I
LO
= 4毫安
- 1微安
-1微安
2.4
最大
1微安
1微安
0.4 V
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
V
IL
所有其它输入
V
IH
or
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
V
IH
所有其它输入
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
V
DD
– 0.2 V
所有其它输入
V
DD
- 0.2 V或
0.2 V
0至70℃
7纳秒
8纳秒
10纳秒
12纳秒
7纳秒
-40到85°C
8纳秒
10纳秒
12纳秒
单位
操作
供应
当前
I
DD
150
130
105
90
160
140
115
100
mA
待机
当前
I
SB1
28
30
25
22
38
40
35
32
mA
待机
当前
I
SB2
10
20
mA
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GS74117AX
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入上升时间
输入下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
条件
V
IH
= 2.4 V
V
IL
= 0.4 V
TR = 1 V / ns的
TF = 1 V / ns的
1.4 V
1.4 V
图。 1& 2
输出负载1
DQ
50Ω
VT = 1.4 V
30pF
1
输出负载2
3.3 V
DQ
5pF
1
589Ω
434Ω
注意:
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和T
OHZ
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相关元器件产品Datasheet PDF文档

GS74117AX-10I

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
18 GSI

GS74117AX-10I

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
15 GSI

GS74117AX-10IT

Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 10 MM, FPBGA-48
0 GSI

GS74117AX-12

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
20 GSI

GS74117AX-12

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
5 GSI

GS74117AX-12I

256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
6 GSI