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475GAZ035M  475CKH250M  475CKS450MLN  475PHB330K2H  475MABA01KJ  475GAZ050M  475MTR063LD  475CKS400MLN  475MKP275KH  475NPS016M  
GS74117AX-12I 256K ×16的4Mb SRAM的异步 (256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM)
.型号:   GS74117AX-12I
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描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步
256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 12 页
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品牌   GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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100%
GS74117AX
FP- BGA
商用温度
工业级温度
特点
•快速存取时间: 7 , 8 , 10 , 12纳秒
• CMOS低功耗运行: 150/130/105/95毫安
最小周期时间
•采用3.3 V单电源
•所有输入和输出为TTL兼容
•字节控制
•全静态工作
•工业温度选项: -40°至85°C
??包装:
X :6毫米×10毫米细间距球栅阵列
256K ×16
4MB SRAM的异步
1
2
3
7,8, 10,12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
4
5
6
细间距BGA 256K ×16配置跳车
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ
1
DQ
3
V
SS
V
DD
DQ
6
DQ
8
NC
OE
UB
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
NC
A
12
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
8
A
10
A
13
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
9
A
11
A
14
A
2
CE
NC
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
DD
V
SS
描述
该GS74117A是有组织的高速CMOS静态RAM
如262,144字由16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS74117A可在一个6×10毫米微调
间距BGA封装。
DQ
10
DQ
11
WE
A
15
DQ
9
NC
引脚说明
符号
A
0
–A
17
DQ
1
-DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
包X
6 ×10mm的凹凸间距
顶视图
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
低字节使能输入
( DQ1到DQ8 )
高字节使能输入
( DQ9到DQ16 )
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
无连接
冯: 1.02 10/2002
1/12
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