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GS880F36AT-8.5I 512K ×18 , 256K ×32 , 256K ×36的8Mb同步突发静态存储器 (512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs)
.型号:   GS880F36AT-8.5I
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描述: 512K ×18 , 256K ×32 , 256K ×36的8Mb同步突发静态存储器
512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 8Mb Sync Burst SRAMs
文件大小 :   555 K    
页数 : 23 页
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品牌   GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
GS880F18/32/36AT-5.5/6/6.5/7/7.5/8.5
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
•流经模式操作;引脚14 =无连接
• 2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
•默认为交错管道模式
•字节写( BW)和/或全局写( GW )的操作
•内部自定时写周期
•用于便携式应用的自动断电
• JEDEC标准的100引脚TQFP封装
512K ×18 , 256K ×32 , 256K ×36
9MB同步突发静态存储器
5.5 NS- 8.5纳秒
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
交错为了与线性突发顺序( LBO )的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
设计为兼容
对于突发的RAM JEDEC标准要求的FT模式引脚
在引脚14局通过突发RAMS网站的流量选项
设计应采用V
SS
连接到FT引脚位置
以确保最广泛的访问多个供应商的来源。
设计与FT引脚焊盘连接到低电平电路板可以与酿
GSI的管道/流动通过可配置的突发的RAM或任何
通过供应商的流程或可配置的突发SRAM 。板
设计与FT引脚位置接高电平或悬空绝
通过突发RAM采用非流动配置,这样的
的RAM ,以达到流过的功能。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
(BW)的输入与一个或多个单独的字节的写
信号( Bx的) 。此外,全局写( GW)是供
写的字节写入所有字节在同一时间,不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗(休眠模式)通过断言实现
(高)的ZZ的信号,或通过停止时钟(CK) 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS880F18 / 32 / 36AT工作在2.5 V或3.3 V电源
供应量。所有的输入都是3.3 V和2.5 V兼容。另
输出功率(V
DDQ
)引脚用于去耦输出噪声
从内部电路和分别为3.3 V和2.5 V兼容。
功能说明
应用
该GS880F18 / 32 / 36AT是9437184位( 8,388,608位为
X32版本)的高性能同步SRAM与
2位爆裂地址计数器。虽然一个类型的原本
对于二级缓存的应用程序支持开发高
高性能CPU ,该装置现在发现应用
同步SRAM应用,从DSP主
存储网络芯片组的支持。
控制
地址,数据I / O的芯片使能( E1,E2, E3) ,地址脉冲串
控制输入​​( ADSP , ADSC , ADV ) ,写控制输入
( Bx的,BW , GW)是同步的,并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端( CK) 。输出使能( G)
和断电控制( ZZ )是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下,会产生后续的突发地址
在内部,并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
参数简介
-250
流经
2-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
5.5
5.5
175
200
-225
6.0
6.0
165
190
-200
6.5
6.5
160
180
-166
7.0
7.0
150
170
-150
7.5
7.5
145
165
-133
8.5
8.5
135
150
单位
ns
ns
mA
mA
冯: 1.03 11/2004
1/23
© 2001年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
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