GMA1504 [GSME]
PNP General Purpose Transistor;
| 型号： | GMA1504 |
| 厂家： | 
GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD. |
| 描述： | PNP General Purpose Transistor |
| 文件： | 总2页 (文件大小：205K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA1504
■FEATURES 特點
PNP General Purpose Transistor
■MAXIMUM RATINGS (T =25℃) 最大額定值
a
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
VCEO
VEBO
Ic
-50
-50
-5
V
V
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
V
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
-150
225
150
mA
mW
℃
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
PC
Junction Temperature
結溫
Tj
Storage Temperature Range
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
■DEVICE MARKING 打標
GMA1504
MARK
HFE
O
Y
GR
ASG
ASO
ASY
70~140
120~240
200~400
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA1504
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Symbol Test Condition Min
Typ
Max
最小值 典型值 最大值 單位
Unit
Characteristic
特性參數
符號
測試條件
VCB=-50V,
IE=0
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
—
—
—
ICBO
—
—
-0.1
-0.1
—
μA
μA
V
VEB=-5V,
IC=0
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
V(BR)CBO IC=-100μA
-50
Collector-Emitter Breakdown Voltage
—
—
—
—
—
V(BR)CEO
IC=-1.0mA
-50
-5
V
V
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
V(BR)EBO IE=-100μA
DC Current Gain
直流電流增益
VCE=-6V,
HFE
70
400
—
IC=-2mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
IC=-100mA,
VCE(sat)
—
—
-0.1
—
-0.3
-1.0
V
V
IB=-10mA
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
IC=-100mA,
VBE(sat)
IB=-10mA
V
=-6V,
CE
Noise Figure
噪声係數
Ic=-0.1mA,
f=1kHz,
1.0
10
NF
—
dB
Rg=10kΩ
Transition Frequency
特徵頻率
VCE=-10V,
IC=-1mA
fT
80
—
—
—
MHz
pF
VCB=-10V,
IE=0,
f=1MHz
Collector Output Capacitance
輸出電容
Cob
4.0
7.0
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明