GMBT2907A [GSME]
PNP Switching Transistor;
| 型号： | GMBT2907A |
| 厂家： | 
GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD. |
| 描述： | PNP Switching Transistor |
| 文件： | 总4页 (文件大小：398K) |
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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBT2907(销售型號 MMBT2907) GMBT2907A(销售型號 MMBT2907A)
■FEATURES 特點
PNP Switching Transistor
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Unit
單位
GMBT2907 GMBT2907A
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
VCBO
VEBO
Ic
-40
-60
-60
-60
Vdc
Vdc
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Vdc
-5.0
-600
-5.0
-600
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
mAdc
■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
225
mW
P
D
T =25℃溫度爲 25℃
A
1.8
mW/℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Total Device Dissipation 總耗散功率
300
mW
P
D
Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)T =25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
A
2.4
mW/℃
℃/W
R
ΘJA
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻
417
Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度
TJ,Tstg
-55to+150℃
■DEVICE MARKING 打標
GMBT2907(销售型號 MMBT2907)=M2B;GMBT2907A(销售型號 MMBT2907A)=2F
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBT2907(销售型號 MMBT2907) GMBT2907A(销售型號 MMBT2907A)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
Max
最小值 最大值 單位
Unit
—
V(BR)CEO GMBT2907
GMBT2907A
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-10mAdc,I =0)
-30
-60
Vdc
—
B
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓(Ic=-10μAdc,I =0)
__
V(BR)CBO
-60
Vdc
Vdc
E
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
-5.0
—
—
(BR)EBO
發射極-基極擊穿電壓(I =-10μAdc,Ic=0)
E
Collector Cutoff Current 集電極截止電流
I
I
-50
nAdc
CEX
(V =-30Vdc, V (Off)=-0.5Vdc)
CE
EB
Collector Cutoff Current 集電極截止電流
(V =-50Vdc,I =0)
CBO
GMBT2907
GMBT2907A
GMBT2907
—
—
—
—
-0.02
-0.01
-20.0
-10.0
CB
E
(V =-50Vdc,I =0,TA=125℃)
CB
E
GMBT2907A
μAdc
nAdc
—
Base Cutoff Current 基極截止電流
I
B
—
-50
(V =-30Vdc, V (Off)=-0.5Vdc)
CE
EB
DC Current Gain 直流電流增益
(I =-0.1mAdc,V =-10.0Vdc)
HFE
GMBT2907
GMBT2907A
GMBT2907
GMBT2907A
GMBT2907
GMBT2907A
35
75
50
100
75
100
—
—
c
CE
(I =-1.0mAdc,V =-10.0Vdc)
c
CE
(I =-10mAdc,V =-10.0Vdc)
—
c
CE
(I =-150mAdc,V =-10.0Vdc)(3)
100
300
c
CE
GMBT2907
30
50
—
—
(I =-500mAdc,V =-10.0Vdc)(3)
c
CE
GMBT2907A
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極發射極飽和壓降
(I =-150mAdc, I =-15mAdc)
V
V
—
—
-0.4
-1.6
Vdc
Vdc
c
B
CE(sat)
BE(sat)
(I =-500mAdc, I =-50mAdc)
c
B
Base-Emitter Saturation Voltage
基極發射極飽和壓降
—
—
-1.3
-2.6
(I =-150mAdc, I =-15mAdc)
c
B
(I =-500mAdc, I =-50mAdc)
c
B
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GMBT2907(销售型號 MMBT2907) GMBT2907A(销售型號 MMBT2907A)
■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min Max
最小值 最大值
Unit
單位
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益帶寬乘積
fT
200
—
MHz
(I =-50mAdc,V =-20Vdc,f=100MHz)
c
CE
Output Capacitance 輸出電容
(V =-10.0Vdc, I =0, f=1.0MHz)
Cobo
Cibo
—
—
80
30
pF
pF
CB
E
Input Capacitance 輸入電容
(V =-2.0Vdc, I =0, f=1.0MHz)
EB
C
■SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性
Turn-On Time
導通時間
t
on
—
—
—
—
—
—
45
10
Delay Time
延遲時間
(Vcc=-30Vdc
Ic=-150mAdc,IB1=-15mAdc)
t
d
ns
ns
Rise Time
上升時間
t
r
40
Turn-Off time
截止時間
t
off
100
80
Storage Time
儲存時間
(Vcc=-6.0Vdc,Ic=-150mAdc,
IB1=IB2=-15mAdc)
t
s
Fall Time
下降時間
t
f
30
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3. Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
4. fT is defined as the frequency at which (hfe) extrapolates to unity.
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■DIMENSION 外形封裝尺寸
單位(UNIT)：mm
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