GMD882 [GSME]

NPN Si transistor suited for the output stage of 3W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver; NPN型晶体管的Si适于3W音频放大器,电压调节器,DC-DC转换器和继电器驱动器的输出级
GMD882
型号: GMD882
厂家: GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD.    GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD.
描述:

NPN Si transistor suited for the output stage of 3W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver
NPN型晶体管的Si适于3W音频放大器,电压调节器,DC-DC转换器和继电器驱动器的输出级

晶体 驱动器 转换器 调节器 音频放大器 继电器 晶体管 DC-DC转换器
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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司  
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.  
GMD882  
TO-126 晶體管(TO-126 Transistors)  
DESCRIPTION 功能  
NPN Si transistor suited for the output stage of 3W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC  
converter and relay driver. NPN 矽三極管,適用于 3W 輸出的音頻放大,電壓調整,DC-DC 轉  
換和繼電器驅動。  
FEATURES 特點  
Low saturation voltage 低飽和壓降  
Excellent hFE linearity and high hFE 好線性和高的放大倍數  
MAXIMUM RATINGS 最大額定值(T =25)  
a
CHARACTERISTIC  
特性參數  
Symbol  
符號  
Rating  
額定值  
Unit  
單位  
Collector-Base Voltage  
集電極-基極電壓  
VCBO  
40  
V
Collect-Emitter Voltage  
集電極-發射極電壓  
VCEO  
VEBO  
Ic  
30  
5.0  
3.0  
7.0  
3
V
V
A
A
W
Emitter-Base Voltage  
發射極-基極電壓  
Collector Current DC  
集電極電流-连续  
Collector Current pulse  
集電極電流-脉冲  
Ic  
Collector Power Dissipation  
集電極耗散功率  
PC  
Junction Temperature  
結溫  
Tj  
150  
Storage Temperature Range  
儲存溫度  
Tstg  
-55150  
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GMD882  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性  
(TA=25unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25)  
Characterstic  
特性參數  
Symbol  
符號  
Test Condition  
測試條件  
Min  
TYP  
Max  
Unit  
最小值  
典型值 最大值 單位  
Collector Cutoff Current  
集電極截止電流  
ICBO  
IEBO  
VCB=30V,IE=0  
VEB=5V,IC=0  
1.0  
1.0  
μA  
μA  
Emitter Cutoff Current  
發射極截止電流  
Collector-Base Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
IC=100μA  
IC=10mA  
40  
30  
5
V
V
V
集電極-基極擊穿電壓  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
集電極-發射極擊穿電壓  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IE=100μA  
發射極-基極擊穿電壓  
HFE(1)  
HFE(2)  
VCE=2V,IC=20A  
VCE=2V,IC=1A  
30  
DC Current Gain  
直流電流增益  
60  
400  
Collector Saturation Voltage  
0.3  
1.0  
90  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IC=2A, IB=200mA  
IC=2A, IB=200mA  
0.5  
2.0  
V
V
集電極飽和壓降  
Base Saturation Voltage  
基極飽和電壓  
Transition Frequency  
特徵頻率  
VCE=5V,IC=100mA  
VCB=10V,IE=0,f=1MHz  
MHz  
pF  
Collector Output Capacitance  
輸出電容  
Cob  
55  
DEVICE MARKING 打標  
GM  
D882  
P
GM  
D882  
E
HFE RANGE 放大倍數分檔  
160-320  
P
200~400  
E
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