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GSB649A PNP外延平面晶体管 (PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   GSB649A
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描述: PNP外延平面晶体管
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   545 K    
页数 : 3 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
GSB649A
描述
特点
包装尺寸
D
!
!
颁发日期: 2003年10月24日
修改日期: 2004/11 / 29B
PNPEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
T
他GSB649A是专为高频功率放大器。
·低频功率放大器互补配对GSD669A
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值
(大
= 25 :除非另有说明, )
参数
评级
单位
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流(DC )
收集电流* (脉冲)
结温
存储温度范围
总功耗
总功率耗散( TC = 25 :
)
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Tj
Ts
TG
P
D
P
D
-180
-160
-5
-1.5
-3
+150
-55 ~ +150
1
20
V
V
V
A
A
W
W
电气特性
(大
= 25 :除非另有说明, )
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
ICBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-180
-160
-5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
27
马克斯。
-
-
-
-10
-1
-1.5
200
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,R
BE
=
I
E
= -1mA ,我
C
=0
V
CB
= -160V ,我
E
=0
l
C
=-600mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0,f=1MHz
*
脉冲测试:脉冲宽度380us ,占空比
2%
兆赫
pF
分类h及
FE1
范围
B
60-120
C
100-200
1/3
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