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描述:
XC6205H602DR  XC6205H602PR  APE1085H50  XC6205H30APR  TK95H303W  XC6205H502PR  V48A5H400A  XC6205H30BDR  XC6205H30AML  XC6205H50AMR  
GSB772SS PNP外延平面晶体管 (PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   GSB772SS
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描述: PNP外延平面晶体管
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   275 K    
页数 : 3 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
颁发日期: 2005年11月7日
修订日期:
GSB772SS
描述
PNPEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
该GSB772SS是中等功率低电压晶体管,设计用于音频功率放大器, DC-DC变换器
和电压调节器。
特点
&放大器;
电流输出可达-3A
&Low饱和电压
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
10°
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
存储温度范围
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流(DC )
总功耗
符号
评级
单位
Tj
Ts
TG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
+150
-55 ~ +150
-40
-30
-5
-3
750
V
V
V
A
mW
电气特性
( TA = 25 : )
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
(SAT)
*V
BE
(SAT)
*h
FE
1
*h
FE
2
fT
COB
分钟。
-40
-30
-5
-
-
-
-
30
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-1.0
-
-
80
55
马克斯。
-
-
-
-1
-1
-0.5
-2.0
-
500
-
-
兆赫
pF
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10uA ,我
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
EB
= -3V ,我
C
=0
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-20mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-1A
V
CE
= -5V ,我
C
= -100mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
P
160 - 320
E
200 - 500
380 S,占空比2 %
测试条件
分类h及
FE
2
范围
Q
100 - 200
GSB772SS
页次: 1/3
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