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描述:
EA1212S-1W  EA1215S-1W  
GSBAS16 表面贴装,开关二极管 (SURFACE MOUNT, SWITCHING DIODE)
.型号:   GSBAS16
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描述: 表面贴装,开关二极管
SURFACE MOUNT, SWITCHING DIODE
文件大小 :   119 K    
页数 : 2 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
公司
摹SB AS16
描述
V Ø LT A G E 8 5 V ,C ü R R简牛逼2 5 0为m的
颁发日期: 2006/12/12
修订日期:
表面贴装, SWITCHINGDIODE
该GSBAS16设计用于杂交厚和薄膜电路,高速开关应用。
该装置是由硅外延平面工艺制造并装在一个塑料表面贴装
封装。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在T绝对最大额定值
A
= 25 :
参数
结温
储存温度
反向电压
重复反向电压
正向电流
重复正向电流
正向浪涌电流( 1毫秒)
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
R
V
RRM
I
O
I
FM
I
FSM
P
D
评级
+150
-65 ~ +150
85
85
250
500
1000
225
单位
:
:
V
V
mA
mA
mA
mW
电气特性
(在T
A
= 25 :除非另有说明)
特征
反向击穿电压
符号
V(
BR
)
V
F
(1)
正向电压
V
F
(2)
V
F
(3)
V
F
(4)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
TRR
-
分钟。
85
-
-
-
-
-
马克斯。
-
715
855
1000
1250
1
2
6
单位
V
mV
mV
mV
mV
uA
pF
nS
I
R
=100uA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=85V
V
R
= 0中,f = 1MHz的
I
F
=I
R
= 10毫安,R
L
=100
测量我
R
=1mA
测试条件
GSBAS16
页次: 1/2
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