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公司
摹SB AS40吨ħる摹SB AS40- 06
V Ø LT A G E 4 0 V ,C ü R R简T 0的。 2将
颁发日期: 2005/12/20
修订日期:
表面贴装, SCHOTTKYBARRIERDIODE
这些肖特基势垒二极管被设计用于高速开关应用中,电路保护和电压
夹紧。极低的正向电压降低传导损耗。微型表面贴装封装
优秀的手持和便携式应用中,空间是有限的。
描述
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BCS 。
在T绝对最大额定值
A
= 25 :
参数
工作结温
储存温度
最大重复峰值反向电压
热阻结到环境空气
峰值正向浪涌电流在TP < 1.0S
最大正向平均整流电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
RRM
R
JA
评级
-55 ~ +125
-55 ~ +150
40
445
0.6
0.2
225
单位
:
:
V
:
/W
A
A
mW
I
FSM
Io
PD
电气特性
(在T
A
= 25 :除非另有说明)
参数
反向击穿电压
正向电压( TP < 300US )
反向漏电流
总电容
反向恢复时间
符号
V
( BR )R
V
F
I
R
C
T
T
rr
分钟。
40
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
-
380
1000
200
5.0
5.0
单位
V
mV
nA
pF
ns
IR = 10 A
IF1=1mA
IF2=40mA
VR=30V
VR = 0V , F = 1MHz的
IF = IR = 10毫安,RL = 100, IRR = 1毫安
测试条件
GSBAS40
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公司
特性曲线
颁发日期: 2005/12/20
修订日期:
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 〜 4传真: 86-21-38950165
GSBAS40
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