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公司
摹SB AS70 / A / C / S
描述
颁发日期: 2005年12月29日
修订日期:
表面贴装, SCHOTTKYBARRIERDIODE
V Ø LT A G é 7 0 V ,C ü R R简T 7 0米一
这些肖特基势垒二极管被设计用于高速开关应用中,电路保护和
电压钳位。极低的正向电压降低传导损耗。微型表面贴装封装
优秀的手持和便携式应用中,空间是有限的。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BCS 。
在T绝对最大额定值
A
= 25 :
参数
工作结温
储存温度
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
非重复峰值正向浪涌电流@ TP
热阻结到环境空气
总功耗
1.0s
符号
Tj
TSTG
V
RRM
Io
I
FSM
R
JA
评级
+125
-65 ~ +125
70
70
100
445
225
单位
:
:
V
mA
mA
:
/W
mW
PD
电气特性
(在T
A
= 25 :除非另有说明)
参数
反向击穿电压
正向电压
符号
V
( BR )R
V
F
分钟。
70
-
-
-
反向漏电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
T
rr
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
410
750
1000
100
10
2.0
5.0
nA
uA
pF
ns
mV
单位
V
I
R
=10 A
I
F
1=1mA
I
F
1=10mA
I
F
2=15mA
V
R
1=50V
V
R
2=70V
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=I
R
= 10毫安,R
L
= 100 , IRR = 1毫安
测试条件
GSAS70/A/C/S
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公司
特性曲线
颁发日期: 2005年12月29日
修订日期:
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 〜 4传真: 86-21-38950165
GSAS70/A/C/S
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GSBAS70S

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
20 GTM

GSBAT54

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
25 GTM

GSBAT54A

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
34 GTM

GSBAT54AT

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
0 GOOD-ARK

GSBAT54C

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
27 GTM

GSBAT54CT

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
0 GOOD-ARK