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DAM15SNM  DAM15SNMBK52  DAMAM15PNM-F225  DAM15SF179  DAMAM15SNM-F225-FO  DAM15S1A9NNMBK52  DAM15SS  DAM15SOL3NMBK52  DAM3H3P-JNMBK52  DAM3H3S-NNMBK52  
GSBAT54S 表面贴装肖特基二极管 (SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE)
.型号:   GSBAT54S
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描述: 表面贴装肖特基二极管
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
文件大小 :   341 K    
页数 : 2 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
颁发日期: 2005/01/05
修订日期:
的s b。在5 4 / A / C / S
表面贴装, SCHOTTKYBARRIERDIODE
V Ø LT A G E 3 0 V ,C ü R R简牛逼2 0 0为m的
描述
这些肖特基二极管是专为高速开关应用电路保护,电压钳位。
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BCS 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌(T
1.0s)
在Ta总功耗= 25 :
符号
Tj
TSTG
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
PD
评级
-55 ~ +125
-55 ~ +150
30
200
300
600
225
V
mA
mA
mA
mW
单位
特性在TA = 25 :
特征
反向击穿电压
符号
V
( BR )R
V
F(1)
V
F(2)
正向电压
V
F(3)
V
F(4)
V
F(5)
反向漏电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
TRR
30
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
240
320
400
500
1000
2.0
10
5
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
IR = 10 A
IF=0.1mA
IF=1mA
IF=10mA
IF=30mA
IF=100mA
VR=25V
VR = 1V , F = 1MHz的
IF = IR = 10毫安, IR (REC) = 1毫安
测试条件
1/2
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