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颁发日期: 2005/06/07
修订日期:
GSBC807
描述
包装尺寸
PNP外延平面晶体管
该GSBC807是专为开关和AF放大器应用,适用于驱动程序存储区和低功率输出存储。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-50
-45
-5
800
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVces
BVEBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*h
FE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
-50
-45
-50
-5
-
-
-
-
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
马克斯。
-
-
-
-
-100
-100
-700
-1.2
630
-
12
兆赫
pF
单位
V
V
V
V
nA
nA
mV
V
IC=-100uA
IC=-10mA
IC=-100uA
IE=-100uA
VCE=-25V
VEB=-4V
IC = -500mA , IB = -50mA
VCE = - 1V , IC = -300mA
VCE = - 1V , IC = -100mA
VCE = -5V , IC = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz时, IE = 0A
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
测试条件
分类h及
FE
范围
9FA
100 - 250
9FB
160 - 400
9FC
250 - 630
1/2
颁发日期: 2005/06/07
修订日期:
特性曲线
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 〜 4传真: 86-21-38950165
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