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2SB108060ML  MLL5225B  2SB1069  2SB1086  2SB1068  2SB1073-Q  M54HC125  2SB1067_09  2SB108100MA  2SB1075  
GSBC817 NPN外延平面晶体管 (NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   GSBC817
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描述: NPN外延平面晶体管
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   150 K    
页数 : 2 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
颁发日期: 2005/06/07
修订日期:
GSBC817
描述
包装尺寸
NPN外延平面晶体管
该GSBC817是专为开关和AF放大器应用,适用于驱动程序存储区和低功率输出存储。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
50
45
5
800
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVces
BVEBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*h
FE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
50
45
50
5
-
-
-
-
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
马克斯。
-
-
-
-
100
100
700
1.2
630
-
12
兆赫
pF
单位
V
V
V
V
nA
nA
mV
V
IC=100uA
IC=10mA
IC=100uA
IE=100uA
VCE=25V
VEB=4V
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 1V , IC = 300毫安
VCE = 1V , IC =百毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安, F = 100MHZ
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0A
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
测试条件
分类h及
FE
范围
8FA
100 - 250
8FB
160 - 400
8FC
250 - 630
1/2
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