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型号:  
描述:
MINISO8  MSM5840  MM74HC574WM  M994A-05  NG80960JA-33  M994A  MMBT2222LT1G  LH0062  MKT-H04D  NCP631  
GSBC848 NPN外延平面晶体管 (NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   GSBC848
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描述: NPN外延平面晶体管
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   152 K    
页数 : 2 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2005/06/07
修订日期:
GSBC848
描述
包装尺寸
NPN外延平面晶体管
该GSBC848被设计用于切换和AF放大器应用,适用于自动插入在厚和薄膜电路。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
30
30
5
100
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
VBE(on)1
VBE(on)2
h
FE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
30
30
5
-
-
-
-
-
580
-
110
-
-
典型值。
-
-
-
-
90
200
700
900
-
-
-
300
3.5
马克斯。
-
-
-
15
250
600
-
-
700
770
800
-
6
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=30V
IC = 10毫安, IB = 0.5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安, IB = 0.5毫安
IC = 100mA时IB = 5毫安
VCE = 5V , IC = 2毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IC = 2毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安, F = 100MHZ
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0A
测试条件
分类h及
FE
范围
8CA
110 - 220
8CB
200 - 450
8CC
420 - 800
1/2
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