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颁发日期: 2005/06/07
修订日期:
GSBC856
描述
包装尺寸
PNP外延平面晶体管
该GSBC856被设计用于切换和AF放大器应用,适用于自动插入在厚和薄膜电路。
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-80
-65
-5
100
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
VBE(on)1
VBE(on)2
h
FE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
-80
-65
-5
-
-
-
-
-
-600
-
75
-
-
典型值。
-
-
-
-
-75
-250
-700
-850
-
-
-
150
4.5
马克斯。
-
-
-
-15
-300
-650
-
-
-750
-820
800
-
-
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-30V
IC = -10mA , IB = -0.5mA
IC = -100mA , IB = -5mA
IC = -10mA , IB = -0.5mA
IC = -100mA , IB = -5mA
VCE = -5V , IC = -2mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCE = -5V , IC = -2mA
VCE = -5V , IC = -10mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , F = 1MHz时, IE = 0A
测试条件
分类h及
FE
范围
9AA
125 - 250
9AB
220 - 475
9AC
420 – 800
正常
75 - 475
1/2
颁发日期: 2005/06/07
修订日期:
特性曲线
重要通知:
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GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
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中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 〜 4传真: 86-21-38950165
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