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XC9201C43AKL  XC9201C33AKR  XC9201C53AKR  XC9201C69AKR  XC9201C39AKR  XC9201CB0AKR  XC9201C59AKL  XC9201C53AKL  600-00466-Z1  XC9201C60AKL  
GSC1384 NPN外延平面晶体管 (NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   GSC1384
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描述: NPN外延平面晶体管
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   401 K    
页数 : 3 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
GSC1384
描述
特点
!
!
颁发日期: 2003年10月24日
修改日期: 2004/11 / 29B
NPNEPI TA XIALPLANARTRANSISTOR
T
他GSC1384是专为功放和驱动程序。
*
低集电极到发射极饱和电压V
CE
(SAT) 。
*互补配对GSA684
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
绝对最大额定值
( TA = 25 :
参数
中,除非另有规定)
评级
单位
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收集电流(DC )
收集电流* (脉冲)
结温
存储温度范围
总功耗
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Tj
Ts
TG
P
D
60
50
5
1
1.5
+150
-55 ~ +150
1
V
V
V
A
A
W
电气特性
( TA = 25 :
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
*h
FE1
*h
FE2
fT
COB
分钟。
60
50
5
-
-
-
85
50
-
-
典型值。
-
-
-
-
200
0.85
160
100
200
11
中,除非另有规定)
马克斯。
-
-
-
0.1
400
1.2
340
-
-
20
单位
V
V
V
uA
mV
V
测试条件
I
C
=10uA,I
E
=0
I
C
=2mA,I
B
=0
I
E
=10uA,I
C
=0
V
CB
=20V,I
E
=0
l
C
=0.5A,I
B
=50mA(note)
I
C
= 0.5A ,我
B
=50mA(note)
V
CE
=10V,I
C
=500mA(note)
V
CE
=5V,I
C
=1A(note)
V
CE
=10V,I
B
=-50mA,f=200MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
兆赫
pF
注:脉冲测量
分类h及
FE
1
范围
Q
85-170
R
120-240
S
170-340
1/3
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