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描述:
S-80913CLPF-G6HTFG  S-80926CLNB-G6WT2G  S-80930CNNB-G80T2G  S-80937CNMC-G87T2G  S-80935CNNB-G85T2G  S-814A53AMC-BDRT2G  S-80936CNPF-G86TFG  S-80926CLPF-G6WTFG  S-814A58AUC-BDWT2G  S-80922CNPF-G8STFG  
GSC1815 NPN外延平面晶体管 (NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   GSC1815
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描述: NPN外延平面晶体管
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   145 K    
页数 : 2 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
公司
GSC1815
描述
特点
*为了配合GSA1015
颁发日期: 2004年7月9日
修改日期: 2004/11 / 29B
NPN外延平面TANSISTOR
该GSC1815是专为AF放大器和通用应用的驱动级使用。
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
L
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
评级
+150
-55 ~ +150
60
50
5
150
50
400
V
V
V
mA
mA
mW
单位
特性在Ta = 25
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
(SAT)
*V
BE
(SAT)
hFE1
hFE2
fT
COB
分钟。
60
50
5
-
-
-
-
70
25
80
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.1
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
0.25
1.0
700
-
-
3.0
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
I
C
=100uA
I
C
=1mA
I
E
=10uA
V
CE
= 60V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V , IC = 0
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
V
CE
= 6V ,我
C
=150mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 1mA时, F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*
脉冲测试:脉冲宽度380us ,占空比
2%
测试条件
中hFE1分类
范围
O
70-140
Y
120-240
GR
200-400
L
350-700
GSC1815
页次: 1/2
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