MAX34334CSE 第1页-第3页 PDF中文翻译页面详情预览
颁发日期: 2005/02/17
修订日期:
GSC4081
描述
特点
&放大器;
COB 。 COB = 2.0 pF的(典型值)。
NPN外延平面晶体管
该GSC4081设计用于AF放大器和通用扩增的驱动器级的使用。
&补充了GSA1576A
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55~+150
60
50
7
150
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
h
FE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
60
50
7
-
-
-
120
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
180
2
马克斯。
-
-
-
100
100
400
560
-
3.5
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
mV
IC=50uA
IC=1mA
IE=50uA
VCB=60V
VEB=7V
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 6V , IC = 1毫安
VCE = 12V , IC = 2毫安中,f = 100MHz的
VCB = 12V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度380us ,占空比
2%
测试条件
分类h及
FE
范围
5BQ
120 - 270
5BR
180 - 390
5BS
270 - 560
1/3
颁发日期: 2005/02/17
修订日期:
特性曲线
2/3
颁发日期: 2005/02/17
修订日期:
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不GTM的事先书面批准。
GTM保留随时修改其产品,恕不另行通知。
GTM半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
GTM自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
台湾:
17-1号大同路。傅口新竹工业园区,新竹,台湾, ROC
电话: 886-3-597-7061传真: 886-3-597-9220 , 597-0785
中国:
( 201203 ) 255号,长江财Lueng RD 。 ,浦勇鑫区尚海城,中国
电话: 86-21-5895-7671 〜 4传真: 86-21-38950165
3/3
相关元器件产品Datasheet PDF文档

GSC4404

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
暂无信息
26 GTM

GSC4407

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
暂无信息
46 GTM

GSC4409

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
暂无信息
21 GTM

GSC4410

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
暂无信息
46 GTM

GSC4411

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
暂无信息
34 GTM

GSC4411DY

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
暂无信息
34 GTM