电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
UPD703107AGJ-XXX-UEN  UPD703131AGJ-XXX-UEN  UPD703108GC-8EU  UPD703111AF1-10-GA3  UPD703114GC-XXX-8EU-A  UPD703114GC-XXX-8EU  UPD703131A  UPD703114GF-XXX-3BA-A  UPD703114GF-XXX-3BA  UPD703111AF1-15-GA3  
GSC4409 P沟道增强型功率MOSFET (P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET)
.型号:   GSC4409
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: P沟道增强型功率MOSFET
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
文件大小 :   286 K    
页数 : 4 页
Logo:   
品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
购买 :   
  浏览型号GSC4409的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号GSC4409的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号GSC4409的Datasheet PDF文件第4页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
无铅电镀产品
颁发日期: 2006年10月19日
修订日期:
GSC4409
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
7.5m
-15A
该GSC4409采用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻和超低栅极电荷。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用,并适用
用作负载开关或PWM应用。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关特性
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
-30
±20
-15
-12.8
-80
2.5
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
50
单位
: /W
GSC4409
页次: 1/4
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7