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无铅电镀产品
颁发日期: 2006年10月19日
修订日期:
GSC4409
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
7.5m
-15A
该GSC4409采用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻和超低栅极电荷。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用,并适用
用作负载开关或PWM应用。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关特性
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
-30
±20
-15
-12.8
-80
2.5
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
50
单位
: /W
GSC4409
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颁发日期: 2006年10月19日
修订日期:
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 55 : )
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
-1.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
50
-
-
-
-
-
100
14.5
23
14
16.5
76.5
37.5
5270
945
745
马克斯。
-
-2.7
-
±100
-5
-25
7.5
12
120
-
-
-
-
-
-
6400
-
-
单位
V
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ,我
D
=-15A
V
GS
= ±20V
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ,我
D
=-15A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-10A
I
D
=-15A
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
R
G
=3
R
L
=1
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流(
体二极管
)
符号
V
SD
I
S
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
36.7
28
马克斯。
-1.0
-5
-
-
单位
V
A
ns
nC
测试条件
I
S
= -1.0A ,V
GS
=0V
V
D
= V
G
=0V, V
S
=-1.0V
I
S
= -15A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 125 : /安装在闽当W 。铜垫。
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颁发日期: 2006年10月19日
修订日期:
特性曲线
图1.典型的输出特性
如图2传输特性
图3.导通电阻V.S.漏
电流和栅极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
图4.导通电阻V.S.
结温
图5.导通电阻
V.S.栅源电压
图6.体二极管特性
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颁发日期: 2006年10月19日
修订日期:
图7.最大安全工作区
图8.单脉冲最大
功耗
V.S.结温
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图11.归最大瞬态热阻抗
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中国:
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