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S-80846CLPF-B67TFG  AT87C5111-TDRIL  TDOXZ  1N4967US  BFG67W/X  KT867T51  JANTXV1N4967US  SN74LV4051ATDRQ1  JANTX1N4967US  IDT54FCT257ATDQB  
GSC4410 N沟道增强型功率MOSFET (N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET)
.型号:   GSC4410
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描述: N沟道增强型功率MOSFET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
文件大小 :   309 K    
页数 : 5 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
无铅电镀产品
颁发日期: 2005/03/01
修改日期: 2005/ 09 / 30B
GSC4410
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
13.5m
10A
该GSC4410提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用,并适用
对于低电压应用,如DC / DC转换器。
*动态的dv / dt额定值
*简单的驱动要求
*额定重复性雪崩
*快速切换
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
5.80
4.80
3.80
0C
0.40
0.19
6.20
5.00
4.00
8C
0.90
0.25
REF 。
M
H
L
J
K
G
毫米
分钟。
马克斯。
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF 。
45 C
1.27 TYP 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@10V
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
评级
30
f 20
10
8
50
2.5
0.02
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
马克斯。
符号
Rthj - AMB
价值
50
单位
/W
GSC4410
页: 1/5
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