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FMB2907A  REZ-0924S  REZ-1215S  REZ-0915SH  REZ-1212SH  FMB5551  FMB-461F/ES  REZ-1205SH  REZ-123.3SHP  REZ-1205S  
GSC4410 N沟道增强型功率MOSFET (N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET)
.型号:   GSC4410
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描述: N沟道增强型功率MOSFET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
文件大小 :   309 K    
页数 : 5 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
颁发日期: 2005/03/01
修改日期: 2005/ 09 / 30B
电气特性( TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编)
分钟。
30
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.037
-
20
-
-
-
11.5
16.5
20
3
11
7.5
10.2
29
33
955
555
204
马克斯。
-
-
3.0
-
D
100
1
25
13.5
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ,我
D
=10A
20V
V
GS
= D
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5A
I
D
=10A
V
DS
=15V
V
GS
=5V
V
DS
=25V
I
D
=1A
V
GS
=5V
R
G
=3.3 Ł
R
D
=25 Ł
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 55 : )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流(
体二极管
)
脉冲源电流(
体二极管
)
1
符号
V
SD
I
S
I
SM
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
1.3
2.3
50
单位
V
A
A
测试条件
I
S
= 2.3A ,V
GS
= 0V , TJ = 25 :
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.3V
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
GSC4410
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