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ML6674  ML6622CS  MLL3826A  ML6633CS  MLL3827A  ML6651CH  ML6633  ML6695CQ  ML6672CH  ML6622  
GSC4412 N沟道增强型功率MOSFET (N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET)
.型号:   GSC4412
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描述: N沟道增强型功率MOSFET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
文件大小 :   291 K    
页数 : 5 页
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品牌   GTM [ GTM CORPORATION ]
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100%
颁发日期: 2006年1月10日
修订日期:
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
分钟。
25
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
12
-
-
-
-
-
7
1.5
5
7
22
14.5
6
218
155
63
马克斯。
-
-
3.0
-
±100
1
25
33
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ,我
D
=7A
V
GS
= ±20V
V
DS
=25V, V
GS
=0
V
DS
=20V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=3.5A
I
D
=7A
V
DS
=16V
V
GS
=5V
V
DS
=16V
I
D
=7A
V
GS
=10V
R
G
=3.3
R
D
=2.3
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 70 : )
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
2
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
连续源电流(
体二极管
)
符号
V
SD
I
S
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
1.2
2.08
单位
V
A
测试条件
I
S
= 2.3A ,V
GS
= 0V , TJ = 25 :
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.2V
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉宽300US ,占空比2 % 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 125 : /安装在闽当W 。铜垫。
GSC4412
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