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3802  38032  3803L_08  3803H  3804  38019  3803L-SC  380399  3803  380385  
HMD2M64B2-10 同步DRAM模块16兆字节( 2Mx64位) , SO -DIMM , 4Banks , 4K参考, 3.3V (Synchronous DRAM Module 16Mbyte (2Mx64-Bit), SO-DIMM, 4Banks, 4K Ref., 3.3V)
.型号:   HMD2M64B2-10
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描述: 同步DRAM模块16兆字节( 2Mx64位) , SO -DIMM , 4Banks , 4K参考, 3.3V
Synchronous DRAM Module 16Mbyte (2Mx64-Bit), SO-DIMM, 4Banks, 4K Ref., 3.3V
文件大小 :   75 K    
页数 : 10 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD2M64B2
同步DRAM模块16兆字节( 2Mx64位) , SO -DIMM ,
4Banks , 4K参考, 3.3V
产品型号HSD2M64B2
概述
该HSD2M64B2是一个2M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
2 CMOS 512K ×32位与TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM上一个144引脚的玻璃环氧树脂
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD2M64B2是一个SO- DIMM (小型双重内嵌式内存模块) ,并适用于安装到144针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的,高性能的存储器系统的应用程序的所有模块,组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD2M64B2 -F / 10 : 100MHz的
HSD2M64B2 -F / 8 : 125MHz的
* F:自动自刷新低功耗
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
JEDEC标准的144针SO -DIMM
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所使用的设备是512Kx32Bitx4Banks SDRAM
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
1
韩光电器有限公司。
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