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X40434S14-B  X40434S14-C  1N5418US  1N5418  1N5420  1N5420US  X40430_06  X40430  1N5419US  X40431  
HMD4M32M8EG-5 16兆字节( 4Mx32 ) 72针EDO模式, 2K / 4K参考。 SIMM设计5V (16Mbyte(4Mx32) 72-pin EDO MODE, 2K/4K Ref. SIMM Design 5V)
.型号:   HMD4M32M8EG-5
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描述: 16兆字节( 4Mx32 ) 72针EDO模式, 2K / 4K参考。 SIMM设计5V
16Mbyte(4Mx32) 72-pin EDO MODE, 2K/4K Ref. SIMM Design 5V
文件大小 :   53 K    
页数 : 6 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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100%
韩光
HMD4M32M8EG/8EAG
16兆字节( 4Mx32 ) 72针EDO模式, 2K / 4K参考。 SIMM设计5V
产品型号HMD4M32M8EG , HMD4M32M8EAG
概述
该HMD4M32M8E是4M ×32位的动态RAM的高密度内存模块。该模块由八个CMOS
安装在一个72针,双面, FR- 4印刷电路板中的24引脚SOJ封装大4M x 4位的DRAM 。
A 0.1或
0.22uF去耦电容器安装在印刷电路板上为每个DRAM组件。该模块是一个单
直插式内存模块采用边缘连接,适用于在安装到72针边缘连接器插座。所有
模块组件可以从一个单一的5V直流电源供电,所有输入和输出为TTL兼容。
特点
w
部分鉴定
HMD4M32M8EG-- 2048周期/ 32ms的参考。金
HMD4M32M8EAG-- 4096周期/ 64ms的参考。金
w
访问次数: 50 , 60ns的
w
高密度的16兆字节的设计。
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
JEDEC标准引脚
w
EDO (扩展数据输出)操作模式
w
TTL兼容的输入和输出
w
FR4 - PCB设计
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ22
DQ7
DQ23
A7
A11
VCC
A8
A9
NC
/RAS2
NC
NC
NC
NC
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
NC
NC
/ WE
NC
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
VSS
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
引脚分配
选项
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-5
-6
M
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
存在检测引脚
PD1
PD2
PD3
PD4
50ns
VSS
NC
VSS
VSS
60ns
VSS
NC
NC
NC
性能范围
A0 - A11 :地址输入( 4K参考。 )
速度
5
6
TRAC
50ns
60ns
大隘社
13ns
15ns
TRC
90ns
110ns
THPC
A0 - A10 :地址输入( 2K参考。 )
26ns
*注: A11仅用于HMD4M32M8EAG
30ns
网址: www.hbe.co.kr
REV 。 1.0 (八月2002年)
1
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