韩光

HMD8M32F4E

32Mbyte （ 8Mx32 ） EDO模式4K参考。 100PIN SMM ， 5V设计

产品型号HMD8M32F4E

概述

该HMD8M32F4E是8M X 32位动态RAM的高密度内存模块。该模块由四个CMOS

4M X安装在一个100引脚，双面， FR- 4印刷电路板16位的DRAM中的50针TSOP封装。一个0.1uF的

或0.22uF去耦电容器安装在印刷电路板上为每个DRAM组件。

该模块采用边缘连接的单列直插内存模块，目的是为安装到100针的优势

连接器插座。所有的模块组件可以从一个单一的5V直流电源和所有输入供电，

输出为TTL兼容。

特点

w

访问次数： 50 ， 60ns的

w

高密度32MByte设计

w

+ 5V单

±

0.5V电源

w

JEDEC标准引脚

w

EDO模式操作

w

TTL兼容的输入和输出

w

FR4 - PCB设计

选项

w

定时

为50ns存取

60ns的访问

w

套餐

100针SMM

性能范围

速度

5

6

t

RAC

50ns

60ns

t

CAC

13ns

15ns

t

RC

90ns

110ns

t

HPC

26ns

30ns

F

-5

-6

记号

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

符号

VCC

NC

/RAS0

/RAS1

DQ15

DQ14

DQ13

VSS

DQ12

DQ11

DQ10

DQ8

VSS

DQ6

DQ4

DQ3

DQ2

VSS

DQ1

DQ0

A0

A1

A2

A3

VCC

引脚分配

P1

针

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

符号

VCC

/CAS0

/CAS1

NC

NC

NC

NC

VSS

NC

NC

DQ9

DQ7

VSS

DQ5

NC

A11

A10

VSS

A9

A8

A7

A6

A5

A4

VCC

针

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

70

71

72

73

74

75

符号

VCC

NC

/RAS2

/RAS3

DQ31

DQ30

DQ29

VSS

NC

/ WE

NC

NC

VSS

NC

NC

DQ28

DQ27

VSS

DQ26

DQ25

DQ24

DQ23

VSS

NC

VCC

P2

针

76

77

78

79

80

81

82

83

84

85

86

87

88

89

90

91

92

93

94

95

96

97

98

99

100

符号

VCC

/CAS2

/CAS3

DQ22

DQ21

DQ20

DQ19

VSS

DQ18

DQ17

DQ16

NC

VSS

NC

NC

NC

NC

VSS

NC

VSS

NC

NC

VSS

NC

VCC

100PIN SMM

顶视图

韩光电器有限公司。