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CL-190YGCDTU  CL-190LYX  CL-190YGXDT  CL-190LYCTS  CL-190PGCDT  CL-190YGXD  CL-190YGXDTD  CL-190RXTS  CL-190LYCTU  CL-190RXDTD  
HMD8M32F4E-5 32Mbyte ( 8Mx32 ) EDO模式4K参考。 100PIN SMM , 5V设计 (32Mbyte(8Mx32) EDO Mode 4K Ref. 100Pin SMM, 5V Design)
.型号:   HMD8M32F4E-5
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描述: 32Mbyte ( 8Mx32 ) EDO模式4K参考。 100PIN SMM , 5V设计
32Mbyte(8Mx32) EDO Mode 4K Ref. 100Pin SMM, 5V Design
文件大小 :   65 K    
页数 : 6 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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100%
韩光
HMD8M32F4E
32Mbyte ( 8Mx32 ) EDO模式4K参考。 100PIN SMM , 5V设计
产品型号HMD8M32F4E
概述
该HMD8M32F4E是8M X 32位动态RAM的高密度内存模块。该模块由四个CMOS
4M X安装在一个100引脚,双面, FR- 4印刷电路板16位的DRAM中的50针TSOP封装。一个0.1uF的
或0.22uF去耦电容器安装在印刷电路板上为每个DRAM组件。
该模块采用边缘连接的单列直插内存模块,目的是为安装到100针的优势
连接器插座。所有的模块组件可以从一个单一的5V直流电源和所有输入供电,
输出为TTL兼容。
特点
w
访问次数: 50 , 60ns的
w
高密度32MByte设计
w
+ 5V单
±
0.5V电源
w
JEDEC标准引脚
w
EDO模式操作
w
TTL兼容的输入和输出
w
FR4 - PCB设计
选项
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
100针SMM
性能范围
速度
5
6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
90ns
110ns
t
HPC
26ns
30ns
F
-5
-6
记号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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14
15
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17
18
19
20
21
22
23
24
25
符号
VCC
NC
/RAS0
/RAS1
DQ15
DQ14
DQ13
VSS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ8
VSS
DQ6
DQ4
DQ3
DQ2
VSS
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
VCC
引脚分配
P1
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
符号
VCC
/CAS0
/CAS1
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
NC
DQ9
DQ7
VSS
DQ5
NC
A11
A10
VSS
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VCC
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
符号
VCC
NC
/RAS2
/RAS3
DQ31
DQ30
DQ29
VSS
NC
/ WE
NC
NC
VSS
NC
NC
DQ28
DQ27
VSS
DQ26
DQ25
DQ24
DQ23
VSS
NC
VCC
P2
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
符号
VCC
/CAS2
/CAS3
DQ22
DQ21
DQ20
DQ19
VSS
DQ18
DQ17
DQ16
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
VCC
100PIN SMM
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