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M38B58M7XXXFS  M38B56MDXXXFS  M38B57MEXXXFS  M38B57MCXXXFS  M38B55E3XXXFP  M38B58M7XXXFP  M38B58MBXXXFP  M38B55M6XXXFP  M38B58M4XXXFS  M38B56M3XXXFS  
HMD8M32M16EG-6 32Mbyte ( 8Mx32 ) 72针EDO模式2K参考。 SIMM设计5V (32Mbyte(8Mx32) 72-pin EDO MODE 2K Ref. SIMM Design 5V)
.型号:   HMD8M32M16EG-6
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描述: 32Mbyte ( 8Mx32 ) 72针EDO模式2K参考。 SIMM设计5V
32Mbyte(8Mx32) 72-pin EDO MODE 2K Ref. SIMM Design 5V
文件大小 :   66 K    
页数 : 7 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
购买 :   
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100%
韩光
HMD8M32M16EG
32Mbyte ( 8Mx32 ) 72针EDO模式2K参考。 SIMM设计5V
产品型号HMD8M32M16EG
概述
该HMD8M32M16EG是8M X 32位动态RAM的高密度内存模块。该模块由16
安装在一个72针,双面, FR- 4印刷电路板中的24引脚SOJ封装的CMOS大4M x 4位的DRAM 。
A 0.1
或0.22uF去耦电容器安装在印刷电路板上为每个DRAM组件。该模块是一个
单列直插式内存模块与边缘连接,适用于在安装到72针边缘连接器插座。所有
模块组件可以从一个单一的5V直流电源供电,所有输入和输出为TTL兼容。
特点
w
部分鉴定
HMD8M32M16EG- 2048周期/ 32ms的参考。金
w
访问次数: 50 , 60ns的
w
高密度32MByte设计
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
JEDEC标准PDpin和引脚
w
EDO模式操作
w
TTL兼容的输入和输出
w
FR4 - PCB设计
1
2
3
4
5
6
7
8
9
引脚分配
符号
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
/RAS1
NC
/ WE
NC
SIMM
TRC
90ns
110ns
THPC
26ns
30ns
顶视图
注意: A11不用于HMD8M32M16EG
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
选项
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-5
-6
M
10
11
12
13
14
15
16
17
18
60ns
NC
VSS
NC
NC
19
20
21
22
23
24
存在检测引脚
PD1
PD2
PD3
PD4
50ns
NC
VSS
VSS
VSS
性能范围
速度
5
6
TRAC
50ns
60ns
大隘社
13ns
15ns
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
-
1
-
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