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7091-31-EG3-A1  7091-32-EH3-A1  7091-31-EH3-A1  7091-31-DH2-V1  7091-31-DG3-V2  7091-31-EG3-V1  7091-31-DH2-A1  7091-31-DG3-A1  7091-33-EG3-V1  7091-31-EB3-A1  
HMF1M32M4GL FLASH- ROM模块4MByte ( 1M ×32位) , 72PIN - SIMM , 5V (FLASH-ROM MODULE 4MByte (1M x 32-Bit),72pin-SIMM, 5V)
型号:   HMF1M32M4GL
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描述: FLASH- ROM模块4MByte ( 1M ×32位) , 72PIN - SIMM , 5V
FLASH-ROM MODULE 4MByte (1M x 32-Bit),72pin-SIMM, 5V
文件大小 :   415 K    
页数 : 11 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMF1M32M4GL
FLASH- ROM模块4MByte ( 1M ×32位) , 72PIN - SIMM , 5V
产品型号HMF1M32M4GL
概述
该HMF1M32M4GL是只读组织在存储器( FROM )含有1,048,576字模块高速闪存
x32bit配置。该模块包括四个1M ×8从装在一个72针,单面, FR-4印刷电路板。
该HMF1M32M4GL完全引脚和指令集JEDEC单电源闪存标准兼容。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机,它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
设备类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
四个芯片使能输入( / WE0 , / WE1 , / WE2 , / WE3 )用于独立地使该模块的8位。输出使能
( / OE)和写允许( / WE)可以设置存储器的输入和输出。
当从模块被禁止状态,模块正成为电力standb y模式,系统设计人员可以得到低功耗
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 5V直流电源和所有输入供电
并输出为TTL兼容。
特点
w
访问时间: 75 , 90和120ns的
w
高密度4MByte设计
w
高可靠性,低功耗设计
w
+ 5V单
±
0.5V电源
w
易内存扩展
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
低调72针SIMM
w
最低百万写入/擦除周期
w
扇区擦除架构
w
行业组保护
w
临时业集团解除保护
w
所使用的设备是AM29F080
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引脚分配
符号
VSS
NC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VCC
DQ7
/WE0
RY- / BY
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
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DQ13
DQ14
DQ15
/WE1
NC
DQ16
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符号
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
VCC
DQ22
DQ23
/WE2
NC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
/WE3
NC
/ RESET
A19
/ OE
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69
70
71
72
符号
/BANK-E0
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
VCC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
NC
VSS
选项
w
定时
75ns存取
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-75
-90
-120
18
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21
22
23
24
M
72引脚的SIMM
顶视图
网址:
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
1
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