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韩光
HSD16M32D4
同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM ,
4Banks , 8K参考, 3.3V
产品型号HSD16M32D4
概述
该HSD16M32D4是16M ×32位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
4 CMOS 2M ×16位x 4banks一个100引脚的玻璃环氧树脂基板TSOP- II封装400mil同步DRAM 。
两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该HSD16M32D4
是一个DIMM (直插内存模块双),并适用于安装到100针边缘连接器插座。同步
设计允许与使用系统时钟的精确循环控制。 I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率,可编程延迟允许相同的设备,以针对各种不同的高带宽,高有用
高性能内存系统的所有应用模块组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电
和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD16M32D4-10 :为100MHz (CL = 2)的
HSD16M32D4-10L :为100MHz (CL = 3)的
HSD16M32D4-12 : 125MHz的( CL = 3 )
HSD16M32D4-13 : 133MHz的( CL = 3 )
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 8192周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 16位X 4Banks SDRAM
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韩光
HSD16M32D4
引脚分配
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM0
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1
NC
VCC
NC
NC
NC
CLK0
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
符号
VSS
CKE0
/ WE
/CS0
/CS2
VCC
NC
NC
NC
NC
VSS
DQM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
SDA
SCL
VCC
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
符号
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VCC
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQM1
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
NC
VCC
/ RAS
/ CAS
NC
CLK1
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
符号
VSS
CKE1
NC
/CS1
/CS3
VCC
NC
NC
NC
NC
VSS
DQM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
SA0
SA1
SA2
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功能框图
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HSD16M32D4
引脚功能说明
CLK
/ CS 0 〜 3
名字
系统时钟
芯片使能
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和DQM
CKE
时钟使能
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
A0 ~ A11
地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA8
BA0 〜 BA1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
/ RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
/ CAS
列地址选通
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
/ WE
写使能
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
DQM0 〜 3
数据输入/输出面膜
使得数据输出高阻,时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时, DQM活跃。 (字节屏蔽)
DQ0 〜 32 DQ
VDD / VSS
数据输入/输出
电源/接地
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN,OUT
VCC
P
D
T
英镑
等级
-1V至4.6V
-1V至4.6V
4W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
400mA
注意事项:
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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HSD16M32D4
直流工作条件
(推荐的操作条件(电压引用到VSS = 0V , TA = 0〜70 ℃))
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
输入漏电流
I
LI
-12
-
12
uA
注意事项:
1. V
IH
(最大)= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
3ns.
3.任何输入0V
V
IN
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态输出。
电容
( VCC = 3.3V , TA = 23 ° C,F = 1MHz时, VREF = 1.4V
±
200毫伏)
描述
时钟
/ RAS , / CAS , / WE , / CS , CKE , DQM
地址
DQ ( DQ0 〜 DQ63 )
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
20
20
20
32
最大
32
40
40
52
单位
pF
pF
pF
pF
DC特性
(推荐的工作条件,除非另有说明, TA = 0〜70 ℃)下
TEST
参数
符号
条件
突发长度= 1
工作电流
(一银行活动)
I
CC1
t
RC
t
RC
(分钟)
I
O
= 0毫安
I
CC2
P
CKE
V
IL
(最大)
t
CC
=10ns
CKE & CLK
V
IL
(最大)
t
CC
=∞
CKE
V
IH
(分钟)
预充电待机电流在
非掉电模式
I
CC2
N
CS *
V
IH
( MIN)
t
CC
=10ns
64
mA
8
mA
8
mA
600
600
560
560
mA
1
-13
-12
-10
-10L
VERSION
单位
预充电待机电流在
掉电模式
I
CC2
PS
输入信号被改变
在20ns的一次
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