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HSD16M32D4-13 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V (Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V)
.型号:   HSD16M32D4-13
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描述: 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V
Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V
文件大小 :   145 K    
页数 : 10 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD16M32D4
同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM ,
4Banks , 8K参考, 3.3V
产品型号HSD16M32D4
概述
该HSD16M32D4是16M ×32位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
4 CMOS 2M ×16位x 4banks一个100引脚的玻璃环氧树脂基板TSOP- II封装400mil同步DRAM 。
两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该HSD16M32D4
是一个DIMM (直插内存模块双),并适用于安装到100针边缘连接器插座。同步
设计允许与使用系统时钟的精确循环控制。 I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率,可编程延迟允许相同的设备,以针对各种不同的高带宽,高有用
高性能内存系统的所有应用模块组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电
和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD16M32D4-10 :为100MHz (CL = 2)的
HSD16M32D4-10L :为100MHz (CL = 3)的
HSD16M32D4-12 : 125MHz的( CL = 3 )
HSD16M32D4-13 : 133MHz的( CL = 3 )
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 8192周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 16位X 4Banks SDRAM
www.hbe.co.kr
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韩光电器有限公司。
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