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LM143H  LM146  L78M09T  L78M08CDT-1  LM1496  LM1458CM  L78M08T  LM148QML  LM148N  L78M12C  
HSD16M32D4-13 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V (Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V)
.型号:   HSD16M32D4-13
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描述: 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V
Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V
文件大小 :   145 K    
页数 : 10 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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100%
韩光
HSD16M32D4
引脚功能说明
CLK
/ CS 0 〜 3
名字
系统时钟
芯片使能
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和DQM
CKE
时钟使能
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
A0 ~ A11
地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA8
BA0 〜 BA1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
/ RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
/ CAS
列地址选通
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
/ WE
写使能
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
DQM0 〜 3
数据输入/输出面膜
使得数据输出高阻,时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时, DQM活跃。 (字节屏蔽)
DQ0 〜 32 DQ
VDD / VSS
数据输入/输出
电源/接地
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN,OUT
VCC
P
D
T
英镑
等级
-1V至4.6V
-1V至4.6V
4W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
400mA
注意事项:
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.hbe.co.kr
4
韩光电器有限公司。
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