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描述:
STD40NF3LL_07  84093012A  8408801FA  8408801EA  STD350  8409-16  STD4530NL  8408901FA  8409-10  STD320  
HSD16M32D4-13 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V (Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V)
.型号:   HSD16M32D4-13
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描述: 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V
Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V
文件大小 :   145 K    
页数 : 10 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
购买 :   
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韩光
HSD16M32D4
直流工作条件
(推荐的操作条件(电压引用到VSS = 0V , TA = 0〜70 ℃))
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
输入漏电流
I
LI
-12
-
12
uA
注意事项:
1. V
IH
(最大)= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
3ns.
3.任何输入0V
V
IN
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态输出。
电容
( VCC = 3.3V , TA = 23 ° C,F = 1MHz时, VREF = 1.4V
±
200毫伏)
描述
时钟
/ RAS , / CAS , / WE , / CS , CKE , DQM
地址
DQ ( DQ0 〜 DQ63 )
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
20
20
20
32
最大
32
40
40
52
单位
pF
pF
pF
pF
DC特性
(推荐的工作条件,除非另有说明, TA = 0〜70 ℃)下
TEST
参数
符号
条件
突发长度= 1
工作电流
(一银行活动)
I
CC1
t
RC
t
RC
(分钟)
I
O
= 0毫安
I
CC2
P
CKE
V
IL
(最大)
t
CC
=10ns
CKE & CLK
V
IL
(最大)
t
CC
=∞
CKE
V
IH
(分钟)
预充电待机电流在
非掉电模式
I
CC2
N
CS *
V
IH
( MIN)
t
CC
=10ns
64
mA
8
mA
8
mA
600
600
560
560
mA
1
-13
-12
-10
-10L
VERSION
单位
预充电待机电流在
掉电模式
I
CC2
PS
输入信号被改变
在20ns的一次
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5
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