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UPD703114GCA-XXX-8EU  UPD703114GC-XXX-8EU  UPD703131AF1-XXX-EN4  UPD703131AY  UPD703107AGJ-XXX-UEN  UPD703114GF-XXX-3BA-A  UPD703111A  UPD703111AGM-13-UEU  UPD703114GF-XXX-3BA  UPD703114GC-XXX-8EU-A  
HSD16M32D4-13 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V (Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V)
.型号:   HSD16M32D4-13
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描述: 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V
Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V
文件大小 :   145 K    
页数 : 10 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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100%
韩光
HSD16M32D4
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
-13
参数
CAS
7.5
latency=3
CLK周期时间
CAS
-
latency=2
CAS
5.4
CLK为有效
输出延迟
latency=3
t
SAC
CAS
-
latency=2
CAS
2.7
输出数据
保持时间
latency=3
t
OH
CAS
-
latency=2
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CAS
5.4
CLK到输出
在高阻
latency=3
t
SHZ
CAS
-
latency=2
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果TR & TF长于1ns的,短暂的时间补偿应该考虑,即, [ ( TR + TF ) / 2-1 ] ns的应加
的参数。
-
6
7
ns
6
6
6
ns
2
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
2.5
2.5
1.5
0.8
1
3
3
2
1
1
3
3
2
1
1
3
3
2
1
1
ns
ns
ns
ns
ns
3
3
3
3
3
-
3
3
ns
2
3
3
3
-
6
7
ns
1,2
6
6
6
-
10
12
t
CC
1000
1000
1000
1000
ns
1
8
10
10
符号
最大
最大
最大
最大
-12
-10
-10L
单位
www.hbe.co.kr
8
韩光电器有限公司。
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