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HT1621_10  HT1621  HT1621G  HT1622  HT15  HT14G  HT1621  HT16220  HT15G  HT1602L  
HSD16M32D4-13 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V (Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V)
.型号:   HSD16M32D4-13
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描述: 同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V
Synchronous DRAM Module 64Mbyte(16Mx32-Bit), 100pin DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V
文件大小 :   145 K    
页数 : 10 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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100%
韩光
简化的真值表
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
刷新
银行主动&行地址。
阅读&
COLUMN
地址
AUTO
关闭
AUTO
关闭
AUTO
关闭
AUTO
关闭
突发停止
PRECHARG
e
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
出口
H
H
H
L
H
L
H
H
X
H
L
X
X
L
H
L
H
L
L
H
L
X
H
L
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
X
H
X
H
H
H
X
V
X
X
H
X
V
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
X
X
V
X
预充电
预充电
H
X
L
H
L
L
X
V
预充电
预充电
H
X
L
H
L
H
X
V
条目
出口
CKE
n-1
H
H
L
H
CKE
n
X
H
L
H
X
/C
S
L
L
L
H
L
/R
A
S
L
L
H
X
L
/C
A
S
L
L
H
X
H
/W
E
L
H
H
X
H
D
Q
M
X
X
X
X
V
BA
0,1
HSD16M32D4
A10/
AP
A11
A9~A0
E
操作码
X
X
行地址
L
H
COLUMN
地址
(A0 ~
A8)
COLUMN
地址
(A0 ~
A8)
H
X
L
H
X
X
1,2
3
3
3
3
4
4,5
写&
COLUMN
地址
L
4
4,5
6
时钟暂停或
主动关机
预充电电源
Down模式
DQM
X
X
V
X
X
X
7
没有操作命令
(V =有效,X =无关,H =逻辑高电平, L =逻辑低)
注意事项:
1. OP代码:操作数代码
A0 〜 A12& BA0 〜 BA1 :程序键。 ( @太太)
只能在所有银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA0 〜 BA1 :银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是"Low"在读,写,行积极和预充电,银行A被选中。
如果两个BA0是"Low"和BA1是"High"在读,写,行积极和预充电,选择B银行。
如果两个BA0是"High"和BA1是"Low"在读,写,行积极和预充电, C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是"High"在读,写,行积极和预充电,银行D被选中。
如果A10 / AP是"High"于行预充电, BA0和BA1被忽略,所有的银行都被选中。
5.在突发读取或者自动预充电,无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在激进党爆结束后发放。
6.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿(写入DQM延迟为0) ,
但数据超出2 CLK周期后,使Hi-Z状态。 (读DQM延迟2 )
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9
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