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1561-P591  1854-561L  1854-591  1561-P901  1854-603I  16075  1561-P228L  16300  16050  1854-561  
HSD8M32B4-10L 同步DRAM模块32Mbyte ( 8M ×32位)的基础上4Mx16 , 4Banks , 4K参考144pin SO -DIMM 。 , 3.3V (Synchronous DRAM Module 32Mbyte ( 8M x 32-Bit ) 144pin SO-DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Ref., 3.3V)
.型号:   HSD8M32B4-10L
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描述: 同步DRAM模块32Mbyte ( 8M ×32位)的基础上4Mx16 , 4Banks , 4K参考144pin SO -DIMM 。 , 3.3V
Synchronous DRAM Module 32Mbyte ( 8M x 32-Bit ) 144pin SO-DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Ref., 3.3V
文件大小 :   108 K    
页数 : 11 页
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品牌   HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD8M32B4
同步DRAM模块32Mbyte ( 8M ×32位) 144pin SO-DIMM内存的基础上
4Mx16 , 4Banks , 4K参考, 3.3V
产品型号HSD8M32B4
概述
该HSD8M32B4是8M ×32位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
4 CMOS 1M ×16位x 4banks安装在一个144引脚, FR- 4印刷电路TSOP- II封装同步DRAM
板。两个0.01uF的去耦电容器安装在印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD8M32B4是一个SO- DIMM设计的。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O
交易可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许相同
装置可用于各种高带宽是有用的,高性能存储系统的应用程序的所有模块组件
可以从一个单一的3.3V直流电源供电,所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD8M32B4-10 :为100MHz (CL = 2)的
HSD8M32B4-10L :为100MHz (CL = 3)的
HSD8M32B4-12 : 125MHz的( CL = 3 )
HSD8M32B4-13 : 133MHz的( CL = 3 )
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样,正边沿
系统时钟的
FR4 - PCB设计
所使用的设备是K4S641632D -TC
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 ) 。
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