RFP30N06LE [HARRIS]

30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs; 30A , 60V , ESD额定额定雪崩,逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET
RFP30N06LE
元器件型号: RFP30N06LE
生产厂家: HARRIS CORPORATION    HARRIS CORPORATION
描述和应用:

30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
30A , 60V , ESD额定额定雪崩,逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET

PDF文件: 总6页 (文件大小:95K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:RFP30N06LE参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5.3
Is SamacsysN
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.047 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1