HM51S4260ALZ-8 [HITACHI]

262, 144-Word x 16-Bit Dynamic Random Access Memory; 262 , 144字×16位动态随机存取存储器
HM51S4260ALZ-8
元器件型号: HM51S4260ALZ-8
生产厂家: HITACHI SEMICONDUCTOR    HITACHI SEMICONDUCTOR
描述和应用:

262, 144-Word x 16-Bit Dynamic Random Access Memory
262 , 144字×16位动态随机存取存储器

存储 内存集成电路 动态存储器
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型号参数:HM51S4260ALZ-8参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商HITACHI LTD
零件包装代码ZIP
包装说明ZIP, ZIP40,.1
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.02
风险等级5.92
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; BATTERY BACKUP; SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PZIP-T40
JESD-609代码e0
长度50.82 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP40,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度12.07 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
子类别DRAMs
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.85 mm
Base Number Matches1