元器件型号: | HM62832UHP-20 |
生产厂家: | HITACHI SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | 256 k High Speed SRAM (32-kword 8-bit) |
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型号参数:HM62832UHP-20参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | HITACHI LTD |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP28,.3 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 5.67 |
最长访问时间 | 20 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
长度 | 36 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.05 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
子类别 | SRAMs |
最大压摆率 | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 7.62 mm |
256 k High Speed SRAM (32-kword 8-bit)
256千高速SRAM ( 32千字8位)