HM628512BFP-5 [HITACHI]

4 M SRAM (512-kword x 8-bit); 的4M SRAM( 512千字×8位)的
HM628512BFP-5
元器件型号: HM628512BFP-5
生产厂家: HITACHI SEMICONDUCTOR    HITACHI SEMICONDUCTOR
描述和应用:

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)
的4M SRAM( 512千字×8位)的

存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
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型号参数:HM628512BFP-5参数
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商HITACHI LTD
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP32,.56
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.78
Is SamacsysN
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.45 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.003 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.3 mm
Base Number Matches1