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SS6526-1GSTR  SS6521-1CSBG  SS6521-1COTR  SS6526-0GSTB  SS6527-1CSTR  SS6526-0CSTR  SS6526-1CSTB  SS6532  SS6527  SS6526  
HM51S4170CLJ-8 262144字×16位的动态随机存取存储器 (262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory)
.型号:   HM51S4170CLJ-8
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描述: 262144字×16位的动态随机存取存储器
262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory
文件大小 :   195 K    
页数 : 26 页
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品牌   HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HM514170C系列
HM51S4170C系列
262,144-word
×
16位的动态随机存取存储器
1.0版
1995年7月21日
描述
日立HM51 ( S) 4170C是CMOS动态RAM组织为262,144字
×
16-bit.
HM51 (S) - 4170C通过采用0.8已经意识到更高密度,更高的性能和各种功能
µm
CMOS工艺技术和一些新的CMOS电路设计技术。该HM51 (S) - 4170C
提供快速页面模式的高速接入方式。复用地址输入允许
HM51 ( S) 4170C在标准的400密耳的40引脚塑料SOJ和标准的400密耳的44引脚封装
塑料TSOPII 。内部刷新定时器使HM51S4170C自刷新操作。
特点
采用5 V ( ± 10 % )
高速
- 存取时间: 70纳秒/ 80纳秒(最大)
低功耗
- 主动模式: 660毫瓦/ 578毫瓦(最大)
- 待机模式: 11毫瓦(最大)
1.1毫瓦(最大) (L-版本)
快页模式功能
1024刷新周期: 16毫秒
128毫秒(L-版本)
2
WE
- 字节控制
刷新2变化
RAS
- 仅刷新
CAS
-before-
RAS
刷新
电池备份操作( L-版)
自刷新操作( HM51S4170C )
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