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HM628512BLTT-5SL 的4M SRAM( 512千字×8位)的 (4 M SRAM (512-kword x 8-bit))
.型号:   HM628512BLTT-5SL
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描述: 的4M SRAM( 512千字×8位)的
4 M SRAM (512-kword x 8-bit)
文件大小 :   87 K    
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品牌   HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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100%
HM628512B系列
的4M SRAM ( 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-903D ( Z)
修订版3.0
1999年8月24日
描述
日立HM628512B是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。它实现了更高的密度,
更高的性能和低功耗通过采用0.35
µm
HI- CMOS工艺技术。该
设备,封装在一个525密耳的SOP (脚打印间距宽度)或400密耳的TSOP II型或600密耳厚的塑料DIP ,
可用于高密度安装。该HM628512B适合电池备份系统。
特点
5 V单电源
访问时间: 55/70 NS (最大值)
功耗
主动: 50毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
µW
(典型值)
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出:三态输出
直接TTL兼容:所有输入和输出
电池备份操作
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