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PSD954F5V-15M  PSD954F5V-70UIT  PSD954F5V-15UI  PSD954F5V-90U  PSD954F5V-20MI  PSD954F5V-20MIT  PSD954F5V-20JIT  PSD954F5V-90MT  PSD954F5V-70MT  PSD954F5V-70J  
HM628512BLTTI-8 的4M SRAM( 512千字×8位)的 (4 M SRAM (512-kword x 8-bit))
.型号:   HM628512BLTTI-8
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描述: 的4M SRAM( 512千字×8位)的
4 M SRAM (512-kword x 8-bit)
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品牌   HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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100%
HM628512BI系列
的4M SRAM ( 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-935C ( Z)
修订版2.0
1999年8月24日
描述
日立HM628512BI是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。 HM628512BI系列有
通过采用的Hi- CMOS工艺实现更高密度,更高的性能和低功耗
技术。该HM628512BI系列提供低功耗待机功耗;因此,它适合于
电池备份系统。它封装在32引脚SOP , 32引脚TSOP II和32引脚DIP封装。
特点
5 V单电源
访问时间:八十五分之七十零NS (最大值)
功耗
主动: 50毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
µW
(典型值)
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出:三态输出
直接TTL兼容:所有输入和输出
电池备份操作
工作温度: -40 〜+ 85℃
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