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H5TC2G83AFR  VJ1210A102DLXAP68  H7806A  H7812A  H7912  H-680-76X  H733  H7018-AL  H65TBXX  H61  
HM628512CI 宽温度范围版本的4M SRAM ( 512千字×8位) (Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword x 8-bit))
.型号:   HM628512CI
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描述: 宽温度范围版本的4M SRAM ( 512千字×8位)
Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword x 8-bit)
文件大小 :   85 K    
页数 : 17 页
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品牌   HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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100%
HM628512CI系列
工作温度范围宽版
的4M SRAM ( 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-1211 ( Z)
初步
修订版0.0
2000年8月30日
描述
日立HM628512CI是4兆的静态RAM举办512千字
×
8位。 HM628512CI系列有
通过采用的Hi- CMOS工艺实现更高密度,更高的性能和低功耗
技术。该HM628512CI系列提供低功耗待机功耗;因此,它适合于
电池备份系统。它封装在32引脚SOP , 32引脚TSOP II和32引脚DIP封装。
特点
5 V单电源
访问时间: 70纳秒(最大)
功耗
主动: 50毫瓦/ MHz(典型值)
待机: 10
µW
(典型值)
完全静态存储器。无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
常见的数据输入和输出:三态输出
直接TTL兼容:所有输入和输出
电池备份操作
工作温度: -40 〜+ 85℃
初步:该设备的规格如有变更,恕不另行通知。请联系您
最近日立的销售部关于规范。
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