HMC637LP5 [HITTITE]

GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz; 砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的
HMC637LP5
元器件型号: HMC637LP5
生产厂家: HITTITE MICROWAVE CORPORATION    HITTITE MICROWAVE CORPORATION
描述和应用:

GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的

射频和微波 射频放大器 微波放大器 功率放大器
PDF文件: 总8页 (文件大小:620K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:HMC637LP5参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
包装说明LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.76
Is SamacsysN
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益12 dB
最大输入功率 (CW)25 dBm
JESD-609代码e0
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量32
最大工作频率6000 MHz
最小工作频率
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码LCC32,.2SQ,20
电源12 V
射频/微波设备类型WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率480 mA
表面贴装YES
技术GAAS
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1