元器件型号: | HMC637LP5 |
生产厂家: | HITTITE MICROWAVE CORPORATION |
描述和应用: | GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz |
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型号参数:HMC637LP5参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | LCC32,.2SQ,20 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.76 |
Is Samacsys | N |
特性阻抗 | 50 Ω |
构造 | COMPONENT |
增益 | 12 dB |
最大输入功率 (CW) | 25 dBm |
JESD-609代码 | e0 |
安装特点 | SURFACE MOUNT |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
最大工作频率 | 6000 MHz |
最小工作频率 | |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码 | LCC32,.2SQ,20 |
电源 | 12 V |
射频/微波设备类型 | WIDE BAND MEDIUM POWER |
子类别 | RF/Microwave Amplifiers |
最大压摆率 | 480 mA |
表面贴装 | YES |
技术 | GAAS |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 |
GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz
砷化镓MESFET MMIC 1瓦的功放, DC - 6 GHz的