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HMC190MS8
/
190MS8E
v02.0505
砷化镓MMIC SPDT开关
DC - 3 GHz的
典型应用
该HMC190MS8 / HMC190MS8E是理想的:
• MMDS & WirelessLAN
•便携式无线
特点
低插入损耗: 0.4分贝
超小型封装: MSOP8
高输入IP3 : +50 dBm的
阳性对照: 0 / + 3V @ 10微安
工作原理图
概述
该HMC190MS8 & HMC190MS8E成本低
SPDT开关采用8引线MSOP封装。开关
可以控制信号从直流到3GHz 。它是特别
适用于使用低功率和中功率应用
正控制电压。这两个控制电压
需要直流电流的最小量,这是
最适合于电池供电的无线电系统0.9 ,
1.9和2.4千兆赫。该HMC190MS8 ( E)的设计
提供卓越的三阶互调per-
formance +50 dBm的。该设计进行了优化
对于小型MSOP封装,并保持VSWR
优于1.2 :1到2千兆赫。这个设备是
阳性对照MSOP8封装的版本我们
HMC239S8负控制装置。
10
开关 - SMT
电气电源规格,
T
A
= + 25°C , VCTL = 0 / + 3到8伏直流电
参数
频率
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 2.5 GHz的
DC - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
TRISE , TFALL (10 /90% RF)
的tON , tOFF的(50%的CTL 〜10 /90% RF)的
3
10
ns
ns
23
23
22
19
24
20
15
10
25
23
45
44
分钟。
典型值。
0.4
0.4
0.5
0.7
27
27
26
22
28
28
20
16
30
29
50
49
马克斯。
0.6
0.6
0.8
1.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
( VCTL = 0 / + 5V )
输入三阶截
( VCTL = 0 / + 5V ) (双音输入功率= +7 dBm的每个音)
开关特性
10 - 18
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC190MS8
/
190MS8E
v02.0505
砷化镓MMIC SPDT开关
DC - 3 GHz的
插入损耗
0
-0.5
插入损耗(dB )
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
隔离
0
-10
隔离度(dB )
-20
-30
-40
-50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
10
开关 - SMT
回波损耗
0
输入回波损耗(dB )
-10
-20
-30
-40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率(GHz )
输入0.1和1.0分贝
压缩与控制电压
35
输入功率0.1 1分贝
压缩( dBm的)
1分贝在1900兆赫
输入三阶
截取点​​与控制电压
55
30
输入三阶
截距( DBM)
1分贝在900MHz
53
51
25
0.1分贝在900MHz
0.1分贝在1900兆赫
49
900兆赫
1900兆赫
20
47
15
3
4
5
6
7
8
9
控制输入​​(VDC )
45
4
5
6
7
8
9
控制输入​​(VDC )
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10 - 19
HMC190MS8
/
190MS8E
v02.0505
砷化镓MMIC SPDT开关
DC - 3 GHz的
失真与控制电压
控制输入
( VDC)的
+5
+8
三阶截取( DBM)
+7 dBm的每一个音
900兆赫
50
53
1900兆赫
49
51
压缩与控制电压
载波频率为900MHz
运营商在1900 MHz的
输入功率
对于0.1分贝
压缩
( dBm的)
17
24
30
输入功率
对于1.0分贝
压缩
( dBm的)
20
29
32
10
开关 - SMT
控制
输入
(伏)
+3
+5
+8
输入功率
对于0.1分贝
压缩
( dBm的)
17
25
31
输入功率
对于1.0分贝
压缩
( dBm的)
20
30
33
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
控制输入​​*
A
( VDC)的
0
+3
0
+5
0
+7
0
+8
B
( VDC)的
+3
0
+5
0
+7
0
+8
0
控制电流
Ia
( UA)
-10
10
-55
55
-210
210
-280
280
Ib
( UA)
10
-10
55
-55
210
-210
280
-280
信号路径状态
射频到RF1
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
射频到RF2
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
注意:不要在1dB压缩时的功率电平在+ 31dBm的( VCTL = +5 VDC )操作,但不会“热切换”的功率水平
超过+ 20dBm的( VCTL = + 5V直流)更大。
DC模块都需要在港口RFC , RF1和RF2 。
10 - 20
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC190MS8
/
190MS8E
v02.0505
砷化镓MMIC SPDT开关
DC - 3 GHz的
绝对最大额定值
马克斯。输入功率
V
CTL
= 0/+8V
0.5 GHz的
0.5 - 2 GHz的
+27 dBm的
+34 dBm的
-0.2〜 + 12VDC
-65至+150°C
-40至+85 ºC
1A级
控制电压范围(A & B)
储存温度
工作温度
静电放电敏感度( HBM )
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
10
开关 - SMT
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到​​PCB RF地面。
包装信息
产品型号
HMC190MS8
HMC190MS8E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H190
XXXX
H190
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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190MS8E
v02.0505
砷化镓MMIC SPDT开关
DC - 3 GHz的
典型应用电路
10
开关 - SMT
注意事项:
1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 5V和使用HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
2.控制输入端的A / B可以直接驱动CMOS逻辑(HC)与施加到CMOS逻辑门电路5至8伏特的Vdd 。
3.隔直流电容器所需要的每个RF端口,如图所示。电容值决定了操作的最低频率。
4.最高的射频信号功率能力与VDD = + 8V和A / B设置为0 / + 8V实现。
10 - 22
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HMC190MS8_06

GaAs MMIC SPDT SWITCH DC - 3 GHz
36 HITTITE

HMC190MS8E

GaAs MMIC SPDT SWITCH DC - 3 GHz
25 HITTITE

HMC190MS8ETR

SPDT, 0MHz Min, 3000MHz Max, 1 Func, 1dB Insertion Loss-Max, GAAS, ROHS COMPLIANT,ULTRA SMALL, PLASTIC, SMT, MSOP-8
0 HITTITE

HMC194MS8

GaAs MMIC SPDT SWITCH DC - 3 GHz
242 HITTITE

HMC194MS8

GaAs MMIC SPDT SWITCH DC - 3 GHz
106 HITTITE