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HMC282_00 砷化镓MMIC低噪声放大器, 36 - 40 GHz的 (GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 36 - 40 GHz)
.型号:   HMC282_00
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描述: 砷化镓MMIC低噪声放大器, 36 - 40 GHz的
GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 36 - 40 GHz
文件大小 :   153 K    
页数 : 6 页
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品牌   HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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100%
v01.0700
微波公司
HMC282
砷化镓MMIC低噪声
放大器, 36 - 40 GHz的
特点
噪声系数: 3.5分贝
稳定的增益随温度:26度dB± 1.2分贝
小1.11毫米× 2.07毫米
1
放大器 - CHIP
典型应用
该HMC282 LNA是理想的:
•毫米波点对点Point收音机
- 甚小孔径终端
• SATCOM
工作原理图
概述
该HMC282芯片是一个四阶段的GaAs MMIC
低噪声放大器ER( LNA)覆盖
频率范围为36至40千兆赫。该芯片
可以很容易地被集成到多芯片模块
( MCMS)由于其小( 2.30毫米
2
)的大小。该芯片
利用砷化镓pHEMT工艺提供26分贝
从偏置电源的+ 3.5V @ 90毫安与增益
3.5分贝的噪音网络连接gure 。所有数据是在芯片
50欧姆测试夹具连接,通过带状键连接
最小长度。该HMC282可以使用
与HMC259混合器一起使用,以实现一个MIL-
limeterwave系统接收机。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD = 3.5V + * , LDD = 90毫安
参数
频带
收益
增益平坦度(任何1 GHz的带宽)
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
S aturated安输出Ø宝WER (P坐)
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流(I D D )
( VDD = + 3.5V , VGG1 ,2,3 ,4 = -0.15V典型值)。
18
40
5
21
分钟。
典型值。
36 - 40
27
±1
3.8
7
5
46
9
12
25
90
140
21
40
5
5.8
21
马克斯。
分钟。
典型值。
37 - 39
26
±1
3.5
6
5
46
9
12
27
90
140
5.3
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
* VDD = 3.5V + ,调整VG1 & VG2之间-2.0至+ 0.4V ,实现LDD = 90 mA典型。
1 - 62
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