|
|
|
||||||||||||||||||||||||
![]() HMC633 v00.1107 的GaAs PHEMT MMIC驱动程序 功放, 5 - 17 GHz的 安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓 模具应该被直接连接到接地平面共晶或与 导电环氧树脂(见HMC一般搬运,安装,焊接注) 。 50对0.127毫米( 5 mil)厚的氧化铝欧姆微带传输线 薄膜基板被推荐用于使射频和从芯片 (图1) 。如果0.254毫米(10密耳)厚的氧化铝薄膜基材必须是 所用的模具应提高0.150毫米(6密耳),以使表面 冲模共面与基板的表面上。以accom-一种方法 司马策,这是附加的0.102毫米(4密耳)厚的芯片到0.150毫米(6密耳)的 厚钼散热器(钼片),然后将附着于 接地平面(图2) 。 微带衬底应该带来尽可能靠近模具尽可能在 为了最大限度地减少键合线的长度。典型的模具与基板的间隔是 0.076毫米到0.152毫米( 3-6密耳)。 0.102毫米( 0.004 “)厚的GaAs MMIC 引线键合 0.076mm (0.003”) 2 放大器 - 驱动&增益模块 - 芯片 2-8 射频接地平面 0.127毫米( 0.005 “)厚的氧化铝 薄膜基材 图1 。 操作注意事项 遵守这些注意事项,以避免造成永久性损坏。 储存: 所有的裸模被放置在任何华夫或凝胶基于ESD保护 略去容器,然后密封在防静电保护袋发货。 一旦密封防静电保护袋已经被打开,所有的模具应该是 储存在干燥氮气环境中。 清洁度: 处理芯片在一个干净的环境。切勿尝试 清洁用液体清洁系统的芯片。 静态灵敏度: 罢工。 按照ESD防范措施,以防止ESD 0.150毫米( 0.005 “)厚 钼标签 0.254毫米( 0.010 “)厚的氧化铝 薄膜基材 图2中。 0.102毫米( 0.004 “)厚的GaAs MMIC 0.076mm (0.003”) 引线键合 射频接地平面 瞬变: 抑制手段和偏置电源瞬变,而偏见 应用。使用屏蔽信号和偏置电缆,以减少电感拾波 了。 常规处置: 处理随着真空夹头或用锋利的一对弯曲的镊子的边缘的芯片。该 在芯片的表面具有脆弱的空气桥和不应该与真空夹头,镊子或手指触摸。 MOUNTING 该芯片是背面金属化和可模安装有金锡共晶坯或用导电环氧树脂。 安装面应洁净,平整。 共晶芯片附着:一个二十○分之八十零金锡预成型体,推荐为255 ℃,工具工作表面温度 温度为265℃ 。当热90/10氮气/氢气应用,刀尖温度应在290℃ 。 DO 不是在芯片暴露在温度高于320 ℃下进行20秒以上。不超过3秒 应所需的附件擦洗。 环氧管芯附着:将环氧树脂的最小量到安装表面,使得薄的环氧树脂圆角观察 围绕芯片的周边,一旦它被放置到的位置。治愈按照制造商的时间表环氧树脂。 引线键合 球或楔形债券0.025毫米( 1密耳)直径纯金线。热超声引线键合,其标称阶段 在150℃温度和40 〜50克或18的楔焊力到22克的球的结合力是中建议 谁料。使用超声波能量的最低水平,以达到可靠的引线接合。焊线应该开始 在芯片和终止在封装或基板上。所有键应该是尽可能的短<0.31毫米(12密耳)。 对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824 电话: 978-250-3343 传真: 978-250-3373 为了在网上www.hittite.com 应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
|
首页 - - 友情链接 |
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM ![]() 粤公网安备 44030402000629号 粤ICP备13051289号-7 |