HMC633

v00.1107

的GaAs PHEMT MMIC驱动程序

功放， 5 - 17 GHz的

安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓

模具应该被直接连接到接地平面共晶或与

导电环氧树脂（见HMC一般搬运，安装，焊接注） 。

50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝欧姆微带传输线

薄膜基板被推荐用于使射频和从芯片

（图1） 。如果0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜基材必须是

所用的模具应提高0.150毫米（6密耳），以使表面

冲模共面与基板的表面上。以accom-一种方法

司马策，这是附加的0.102毫米（4密耳）厚的芯片到0.150毫米（6密耳）的

厚钼散热器（钼片），然后将附着于

接地平面（图2） 。

微带衬底应该带来尽可能靠近模具尽可能在

为了最大限度地减少键合线的长度。典型的模具与基板的间隔是

0.076毫米到0.152毫米（ 3-6密耳）。

0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC

引线键合

0.076mm

(0.003”)

2

放大器 - 驱动&增益模块 - 芯片

2-8

射频接地平面

0.127毫米（ 0.005 “）厚的氧化铝

薄膜基材

图1 。

操作注意事项

遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。

储存：

所有的裸模被放置在任何华夫或凝胶基于ESD保护

略去容器，然后密封在防静电保护袋发货。

一旦密封防静电保护袋已经被打开，所有的模具应该是

储存在干燥氮气环境中。

清洁度：

处理芯片在一个干净的环境。切勿尝试

清洁用液体清洁系统的芯片。

静态灵敏度：

罢工。

按照ESD防范措施，以防止ESD

0.150毫米（ 0.005 “）厚

钼标签

0.254毫米（ 0.010 “）厚的氧化铝

薄膜基材

图2中。

0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC

0.076mm

(0.003”)

引线键合

射频接地平面

瞬变：

抑制手段和偏置电源瞬变，而偏见

应用。使用屏蔽信号和偏置电缆，以减少电感拾波

了。

常规处置：

处理随着真空夹头或用锋利的一对弯曲的镊子的边缘的芯片。该

在芯片的表面具有脆弱的空气桥和不应该与真空夹头，镊子或手指触摸。

MOUNTING

该芯片是背面金属化和可模安装有金锡共晶坯或用导电环氧树脂。

安装面应洁净，平整。

共晶芯片附着：一个二十○分之八十零金锡预成型体，推荐为255 ℃，工具工作表面温度

温度为265℃ 。当热90/10氮气/氢气应用，刀尖温度应在290℃ 。 DO

不是在芯片暴露在温度高于320 ℃下进行20秒以上。不超过3秒

应所需的附件擦洗。

环氧管芯附着：将环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角观察

围绕芯片的周边，一旦它被放置到的位置。治愈按照制造商的时间表环氧树脂。

引线键合

球或楔形债券0.025毫米（ 1密耳）直径纯金线。热超声引线键合，其标称阶段

在150℃温度和40 〜50克或18的楔焊力到22克的球的结合力是中建议

谁料。使用超声波能量的最低水平，以达到可靠的引线接合。焊线应该开始

在芯片和终止在封装或基板上。所有键应该是尽可能的短<0.31毫米（12密耳）。

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