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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
典型应用
•微波无线电& VSAT
•军事&空间
•测试仪表
•光纤调制器驱动偏置
• CATV激光驱动器偏置
•蜂窝基站
•无线基础设备
特点
门自动电压调整(无需校准
必需)
电源电压: 4V至12V
数字电压: 3.3V至5V
同时控制增强型和耗尽型
器件
可调漏极电流高达200mA
吸入/源栅电流能力
可选的内部负电压产生的
可以禁止使用外部负电压轨
快速启用/禁用
触发-OUT输出为菊花链上电和
断电排序
13
偏置控制器 - SMT
工作原理图
概述
HMC981是一个有源偏置控制器可以自动
调整外部放大器的栅极电压
实现恒定的偏置电流。它可用于
偏向任何增强和耗尽型放大器
在经营A级与漏极电压政权
4V至12V和漏极电流高达200mA ,提供
完整的偏置方案。
HMC981实现了出色的电源偏置稳定性,
温度和过程变化,并且消除
所需的校准程序通常使用
为了防止由于这样的RF性能下降
的变化。
这里所示的所有数据被取适当的探针。
13 - 1
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
2伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD = 8V , VDIG = 3.3V ,消耗硕士
除非另有说明
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 4V
VDD静态电流
国际直拨电话
VDD = 8V
VDIG静态电流
负电压输出
振荡器频率
参考电压
使能输入阈值
切换输入阈值
短路禁止输入阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流的变化在数字电压
漏电流变化过温
排水范围
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VG2特点
VG2电流供应
VG2调整范围
VDIG特点
调整范围
VDIG静态电流
软件特性
内部开关电阻
RDS -ON
SW = GND
SW = VDIG
10
5
欧姆
欧姆
VDIG
IDIG
VDD = 8 V ,
VDIG = EN = 3.3 V
3.3
3
5
V
mA
IG2
VG2
VG2<1.5V
VG2>1.5V
-0.1
-1
1
0.1
1
VDD-1.3
mA
mA
V
IG
VG_Min
VG_MaX
-0.8
VNEG
VNEG+4.5
0.8
mA
V
V
VNEG
INEG
VDD = 4V
VDD = 8V
0
0
-2.5
8
15
V
mA
mA
IDRAIN
SW = GND
SW = VDIG
VDRAIN设置为8V ,
IDRAIN设置为160毫安
4
VDRAIN设置为8V ,
IDRAIN设置为160毫安
1.5
20
80
0.4
0.02
12
80
200
mA
mA
%/V
%/C
V
%/C
IDIG
VNEG
FOSC
VREF
enthrs
sWthrs
DSCTHRS
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
1.4
1
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
4
7
3
7.5
4
3
5
-2.5
300
1.42
1
典型值。
马克斯。
12
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
VDIG = 3.3 V
VDIG = 5 V
13
偏置控制器 - SMT
13 - 2
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
负载调节@ VDD = 6V , VDIG = 3.3V ,
SW = GND
6.5
负载调节@ VDD = 8V ,
SW=VDIG=3.3V
8.5
6
8
+25C
+85C
-55C
VDRAIN ( V)
+25C
+85C
-55C
VDRAIN ( V)
5.5
7.5
5
7
4.5
20
30
40
50
IDRAIN (毫安)
60
70
80
6.5
80
100
120
140
IDRAIN (毫安)
160
180
200
13
偏置控制器 - SMT
55
54
IDRAIN与VDIG
[1][2]
VNEG线路调整与电源电压
-2.45
空载条件
+25C
+85C
-55C
-2.47
IDRAIN (毫安)
VNEG ( V)
+25C
+85C
-55C
53
-2.49
52
-2.51
51
-2.53
50
3.3
3.7
4.1
VDIG ( V)
4.5
4.9
-2.55
4
6
8
电源电压( V)
10
12
VNEG负载调节@ VDD = 4V
-2.3
VNEG负载调节@ VDD = 12V
-2.3
-2.4
-2.4
VNEG ( V)
VNEG ( V)
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.7
0
2
4
6
INEG (毫安)
8
10
-2.7
0
4
8
INEG (毫安)
12
16
[1] IDRAIN设为53毫安
[2] HMC465LP5用作外部放大器
13 - 3
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
ENABLE波形
8
6
4
禁用波形
8
6
4
电压(V)的
电压(V)的
2
0
-2
-4
-6
-8
0
2
4
6
时间(ms)
8
10
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
2
0
-2
-4
-6
-8
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
14
16
时间(ms)
18
20
13
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
电压(V)的
电压(V)的
4
2
0
-2
-4
0
10
4
2
0
-2
-4
20
30
时间(ms)
40
50
0
20
40
60
时间(ms)
80
100
VNEG负载瞬态VDD = 4V
-0.8
20
VNEG负载瞬态VDD = 6V
-2.4
-2.425
15
10
5
-1.3
10
-2.45
VNEG ( V)
VNEG ( V)
-1.8
0
-2.475
-2.5
-2.525
0
-5
-2.3
-10
-10
-15
0
0.5
1
时间(ms)
1.5
2
-2.8
0
0.5
1
时间(ms)
1.5
2
-20
-2.55
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偏置控制器 - SMT
上电波形
关断波形
INEG (毫安)
INEG (毫安)
HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
VGATE负载调节@ VDD = 6V
1
0.5
0
VG2负载调节@ VDD = 6V
5
4.5
4
3.5
VGATE ( V)
VG2 ( V)
+25C
+85C
-55C
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-1.25
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
0.75
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VG2=0.9V
VG2=1.78V
VG2=2.74V
VG2=3.71V
1
1.25
0
-2
-1.5
-1
-0.5
0
IG2 (毫安)
0.5
1
1.5
2
13
偏置控制器 - SMT
IG (毫安)
13 - 5
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